心源性猝死一级预防植入心律转复除颤器前非持续室性心动过速与植入后恰当治疗的关系

目的探讨植入型心律转复除颤器(implantable cardioverter defibrillator,ICD)用于心源性猝死一级预防时,植入前发生非持续性室性心动过速(non-sustained ventricular tachycardia,NSVT)与植入后ICD恰当治疗的关系。方法本研究为单中心回顾性队列研究,连续纳入2006年1月至2017年12月在北京协和医院住院植入ICD用于一级预防的心脏病患者,患者在住院期间ICD植入前均完善Holter检查。根据Holter检查是否出现NSVT,将患者分为NSVT组及无NSVT组。门诊或电话随访至2018年8月,随访事件包括全因死亡、植入后ICD放电治疗及抗心动过速起搏(antitachycardia pacing,ATP)治疗情况。结果纳入60例符合入选和排除标准的患者,随访时间37 (14～61)个月,KaplanMeier生存曲线及Log-Rank检验提示,NSVT组与无NSVT组相比,全因死亡率无统计学差异(P=0. 108),NSVT组恰当治疗的风险高于无NSVT组(P=0. 033),NSVT和左心室射血分数与ICD恰当治疗独立相关(NSVT:HR=5. 099,95%CI:1. 399～18. 588,P=0. 014;左心室射血分数:HR=1. 077,95%CI:1. 013～1. 145,P=0. 018)。结论 ICD一级预防患者植入前出现NSVT提示接受ICD恰当治疗的风险增加。     

介孔分子筛SBA-15表面的胺基功能化

采用γ-胺丙基三甲氧基硅烷与表面硅羟基的反应,对介孔分子筛SBA-15进行了有机胺功能化,并对其进行了表征.XRD、SEM、比表面积测定、元素分析、TG和FT-IR的测定结果均表明,SBA-15表面成功地接枝上了有机胺功能基团,而六方结构特征基本保持.     

制备条件对硅基介孔分子筛孔结构的影响

采用溶剂热法制备了硅基介孔分子筛材料,较系统地考察了晶化温度、晶化时间及焙烧温度等因素对其结构的影响,并利用N2吸附手段进行了表征.结果表明,晶化温度和晶化时间能明显影响硅基介孔材料的结构,而过高的焙烧温度易导致介孔结构的塌陷.     

爱立信信息

爱立信推出最小的HSDPA/EDGE移动平台；爱立信为捷克3G核心传输网络供应设备；爱立信点播业务提升移动电视功能；爱立信完成全球首次基于MIMO技术的HSPA演示。     

电调整微蚀刻

评述了采用电调整微蚀刻试验表明,它适用于各种各样的线宽和间距的精细导线的制造。比起常规喷射蚀刻工艺来,其侧蚀小、蚀刻因子和tanθ高的效果。     

MIMO系统的约束广义预测控制

讨论了输出终端带不等式约束情形的多输入多输出系统，说明了这些约束可以通过修改输入柔化系数而使其得以满足，在柔化系数的选择范围确定过程中，为了避免矩阵求逆，采用利用已知数据辨识参数的方法来确定柔化系数，从而使得问题简化。降低了计算量且加快了收敛速度。