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《电子工业专用设备》2004,33(7):45-46
日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研),日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度),突破了实用化所要求的标准 相似文献
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以正硅酸乙酯、钛酸正丁酯和聚乙二醇等为主要原料,采用溶胶-凝胶法成功合成了多孔SiO2-TiO2系块状材料。500℃焙烧2h后材料呈现非晶态结构。引入较多钛量时,使材料的孔径分布变窄、平均孔径下降,但增加了比表面积。在80℃热水中浸泡72小时以后,吸附一脱附曲线的类型和形状几乎没有变化;随着Ti含量的增加,比表面积和孔容积的变化率减小。多孔材料在98℃的20%硫酸溶液中重量损失率随Ti含量变化不大,Ti引入并不能提高材料在酸液中的耐蚀性;但引入Ti使多孔材料在95℃NaOH碱液中的耐蚀性明显改善。 相似文献
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