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1.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
2.
毛善成 《南昌大学学报(理科版)》2004,28(2):154-156,160
在pH9.0的NH3·H2O-(NH4)2SO4缓冲介质中,RE(Ⅲ)-TP的络合吸附波的波高与RE(Ⅲ)的浓度在0-10μg/mL间成线性。该方法的相对标准偏差2.23%,回收率99.51%-103.38%,用于硫酸稀土复盐母液中微量稀土总量测定,结果满意。 相似文献
3.
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7.
本文研究的问题是确定f(p,B)的值,也就是给定顶点数p和带宽B,求满足最大度不超过B的连通图的最小边数,本文给出了一些f(p,B)的值及相应极图。 相似文献
8.
Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP(100) Surface 下载免费PDF全文
We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder. 相似文献
9.
在氨性溶液中,光照射对ZnTPPS的形成影响很大。光-极谱试验表明:光电流(i_p)与浓度(c)间有以下的关系:对Zn(NH_3)_4~(2+),i_p∝C_((Zn)(NH_3)_4)~(2+)_~(1/2),对H_2TPPS,i_p∝C_(H_2TPPS),ZnTPPS络合物还原波的i_p不明显。本文对其差异性和光电流产生的原因做了初步探讨。 相似文献
10.
用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在GaAs(100)面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种,结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关,较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体,因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层,氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。 相似文献