21世纪最具潜力的新型带隙材料——声子晶体

半导体发展中遇到的极大障碍,使许多研究人员开始研究光子晶体。然而,声子晶体比光子晶体具有更丰富的物理内涵,它是一种新型声学功能带隙材料。研究声子晶体的重要意义在于其广阔的应用前景,而且在研究过程中,还可能发现新现象和新规律,进而促进物理学的发展。一、什么是声子晶体声子晶体的概念诞生于20世纪90年代,是仿照光子晶体的概念而命名的。我们都知道,具有光子禁带的周期性电介质结构功能材料称为光子晶体,光子能量落在光子禁带中的光波将被禁止,不能在光子晶体中传播。通过对光子晶体周期结构及其缺陷进行设计,可以人为地调控光子…     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。     

环面上具有间断梯度的势函数的模拟退火

本文证明了环面上具有间断梯度的势函数的模拟退火过程：dXt=-VU(Xt)dt √2dWt概率收敛到势函数的全局极小集附近。     

CdS改性TiO2光催化剂的制备及结构

在半导体光催化剂中，TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点，但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低，而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时，改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行，不符合节能原则。     

Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP（100） Surface

We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder.     

同步辐射光电子能谱表征MgO在GaAs（100）上淀积过程中的氧物种

用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在ＧａＡｓ（１００）面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种，结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关，较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体，因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层，氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。     

Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.     

薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献