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1.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
2.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。 相似文献
3.
以一个水声被动测量系统的工程项目为平台,介绍与其配套的水下多路水声测量系统的构成、主要电路环节和工作原理。 相似文献
4.
5.
6.
7.
中国环流器新一号(HL—1M)装置研制 总被引:3,自引:2,他引:1
邓希文 《核聚变与等离子体物理》1998,18(A07):1-8
HL-1M装置是由HL-1托卡马克改建成的,从1994年10月起,已成功地投入运行。它们是一个中型圆截面托马克装置,但去掉了铜导体壳,以 便以地等 体进行高功率辅助加热,低杂波电流驱动和弹丸注入等研究。 相似文献
8.
对HL-1M边缘等离子体静电湍流扰动进行了初步的实验研究。获得了扰动的基本特征量,估计了低杂波引起的径向粒子流的变化。在加低杂波(2.45GHz)前、后,电子密度扰动和极向电场扰动的幅度及其关联性变化不大。虽然低杂波部分抑制了静电湍流,但在数量上不能解释粒子约束改善的实验结果。 相似文献
9.
高智民 《纯粹数学与应用数学》1994,10(2):1-5
本文证明了:若X是K-半分层空间,f是闭映射,则f(X)是K-半分层空间,这一结果推广改进了Lutzer与高国士的有关结果。 相似文献
10.