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采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm. 相似文献
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1,集成电路技术
发展重点将集中在SIP(硅IP)重用技术,新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米~45纳米集成电路关键装备等领域。 相似文献
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随机激光器的最新进展 总被引:5,自引:2,他引:3
综述了近年来随机激光器的最新研究结果,包括随机激光产生的机制,随机增益介质的制备方法,随机激光器的激励与发光特性和随机激光理论。最后,介绍了随机激光器的应用前景。 相似文献
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在电视机的产品宣传上,早期是吹牛,称王称霸,在数量上夸张,这些年国家对产品吹牛一直不上税,所以厂家胆子都大了。现在是神侃,概念满天飞,从技术上找玄机,远的记不住,例如最近让人找不着北的“量子电视”,不知道他要算出什么东西给您看,可 相似文献