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1.
微制造平台微振动的最优控制 总被引:6,自引:0,他引:6
采用混合隔振技术建立了微制造平台隔振系统。该系统以空气弹簧和橡胶层作为被动隔振元件、超磁致伸缩致动器作为主动隔振元件,并采用最优控制理论设计其主动控制器。研究了在不同的性能指标加权阵的情况下,该主动振动控制系统对基础干扰和由微制造设备产生的直接干扰所引起的微制造平台振动的控制效果。研究表明性能指标加权阵对振动控制效果影响非常大。通过大量的仿真实验确定了一组性能指标加权阵,使所设计的主动控制系统能在较宽的频率范围对基础干扰和直接干扰所引起的微制造平台振动进行有效的控制。 相似文献
2.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
3.
4.
介绍了研制出其性能达国际先进公司同类产品水平的塑封双列直插式光耦合器的工作原理和提高绝缘耐压的技术难点,从引线框架设计、加工精度控制、内包封材料选型、理想内包封形状控制、塑封气密性的实现、环境条件的完善等方面讨论了提高绝缘耐压的设计和工艺要点。 相似文献
5.
6.
P Sallagoity F Gaillard M Rivoire M Paoli M Haond S McClathie 《Microelectronics Reliability》1998,38(2):700
This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated. 相似文献
7.
SOI材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径,从实验的角度提出了一种SOI材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。 相似文献
8.
耀江大厦顶层屋面热泵的振动治理 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过耀江大厦27层屋面上六台热泵振动治理前后的振动和噪声测试数据的对比,简要阐述了安装在屋面上热泵的振动影响的程度和范围、产生振动影响和固体噪声传递的原因,并介绍了热泵双层隔振的方法和隔振效果。 相似文献
9.
G. J. Scott 《Food Reviews International》2003,19(1):203-219
Identifying markets for new or improved products for minor crops threatened with extinction is one critical component of any strategy intended to enhance prospects for sustainable production and use. Typically, however, activities linked to the sustainability of these commodities avoid addressing questions associated with assessing their commercial potential. After a brief review of this avoidance syndrome, this article presents a sample of practical, low-cost procedures to help evaluate the market prospects and procedures for crops like quinoa, while citing references to other methodological materials covering similar topics. 相似文献
10.