飞片材料经加速老化后对飞片速度的影响研究

为了掌握经长期贮存后的飞片材料在初始起爆条件下的飞片速度是否会发生显著性退化,采用光子多普勒测速仪对经71℃加速老化不同时间后的聚酰亚胺飞片材料形成飞片的速度迚行了测试。结果表明,针对不同时间加速老化后的聚酰亚胺飞片材料,在相同起爆条件下由其形成飞片的最大速度及飞片出炮筒时的速度均无显著性变化,且在一定炮筒厚度下,飞片出炮筒的速度没有达到最大值。     

异甘草素诱导人胶质瘤细胞SHG44自噬及凋亡的实验研究

目的研究异甘草素(ISL)对人胶质瘤细胞SHG44增殖、自噬、凋亡及相关分子信号的影响。方法应用细胞计数试剂盒(CCK-8)法检测ISL在不同时段、不同浓度下对人胶质瘤细胞SHG44的增殖抑制情况。用流式细胞术Annexin V-IP标记检测ISL(0,20,40,60,80μmol/L)作用于SHG44细胞48 h后细胞凋亡的情况,透射电镜下观测ISL对SHG44细胞内部超微结构的改变,应用免疫荧光染色法观测细胞内部及其周边自噬及凋亡相关蛋白的分布,Western blot检测ISL对SHG44细胞中Caspase-3,Bcl-2以及LC3B等蛋白表达的影响。结果在ISL作用下,SHG44细胞的增殖过程呈现时间及剂量依赖性抑制,ISL(80μmol/L)组在作用72 h后对SHG44细胞的抑制率超过了半数;流式细胞术检测ISL作用SHG44细胞48 h后,细胞凋亡率分别为(1.54±0.85)%,(6.72±2.81)%,(11.82±3.21)%,(16.61±3.79)%,(26.15±3.82)%;透射电镜下可见SHG44细胞内部出现自噬小泡及自噬溶酶体;在荧光显微镜下可见细胞内出现自噬及凋亡相关蛋白的免疫荧光颗粒;Western blot显示ISL作用于SHG44细胞48 h后,LC3-Ⅱ/Ⅰ比值以及Caspase-3的表达呈上升趋势,而Bcl-2表达呈下降趋势。结论 ISL能有效抑制人胶质瘤细胞SHG44的增殖,诱导SHG44细胞发生自噬和凋亡,并且抑制了抗凋亡分子Bcl-2的表达,增加了凋亡相关分子Caspase-3以及自噬相关分子LC3-Ⅱ/Ⅰ的比值。     

小榄地区育龄期妇女多囊卵巢综合征临床数据研究

目的:调查小榄地区育龄期妇女多囊卵巢综合征(PCOS)发病率及不同治疗方法效果比较。方法:选择2014年1-6月来本院就诊及妇科普查时诊断为PCOS综合征的患者128例,计算小榄地区育龄期妇女PCOS发病率及治疗总有效率。将患者按随机分为A、B、C三组,比较各组试验生活方式改变、口服避孕药、二甲双胍治疗方法的实际治疗效果。结果:小榄地区PCOS总发病率0.67%。A组总有效率为80.95%,B组为90.70%,C组为93.02%,三组的总有效率比较差异有统计学意义(P<0.05)。结论:小榄地区是PCOS高发地区,二甲双胍片与口服避孕药对PCOS的治疗同样有效。     

3DMax与UHS腹膜前腹股沟疝修补术的对比研究

目的:比较3DMax补片与UHS补片行前入路腹膜前修补腹股沟疝的临床疗效及并发症。方法:选取2010年6月-2013年6月应用3DMax补片42例患者及UHS补片48例患者,行前入路修补方法治疗腹股沟疝。比较两组患者手术时间、手术后切口感染和血肿等并发症、恢复正常生活时间、术后短期(0.5~1年)复发率、术后4周疼痛及6个月时慢性疼痛及异物感发生率。结果:两组手术时间、术后恢复正常生活时间及术后半年疼痛发生率比较差异均无统计学意义(P>0.05)。UHS组较3DMax组,术后4周内疼痛及术后6个月异物感发生率高,两组比较差异具有统计学意义(P<0.05)。两组患者均无切口感染、血肿等并发症,术后1年均无复发。结论:3DMax补片治疗腹股沟疝与UHS补片疗效相似而并发症发生率低,有望成为今后疝修补术的更好方法。     

轧制始极片

本文介绍了轧制法生产始极片的工艺，比较了轧制法和传统的钛种板生产始极片的优缺点，讨论了采用轧制始极片的经济效益和应用前景。     

压缩机环状阀工作过程冲击应力的有限元分析研究

针对压缩机环状阀结构和运动特点,利用ANSYS分析软件对其冲击应力进行有限元分析,得出阀片质量和阀片倾侧运动对环状阀工作过程冲击应力的影响。为压缩机环状阀的结构修改和优化设计提供了必要的基础。     

单螺杆空气压缩机核心技术的突破

空缩机是煤矿重要基础设备。与传统的往复式缩压机不同,单螺杆压缩机具有技术含量高、可靠性好、噪音低等特点,需求量越来越大。上海飞和实业集团有限公司坚持自主创新,打破国外技术封锁,在单螺杆压缩机的设计与制造核心技术方面均取得重大突破,拥有完全自主的知识产权,成为我国以单螺杆压缩机为主体的强力生产基地。     

嵌人式与独立存储器设计上的差异分析和研究

进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。     

IR单片荧光灯镇流控制器

国际整流器公司（IR）推出IR2167单片荧光灯镇流器，它具备有源，临界传导模式的升压型功率因数校正（PFC）方法，其大功率因数更可提高电力设备效率。IR2167控制整个电子镇流器并结合照明控制，功率因数校正和一个600V半桥驱动器。该镇流器的功能包括控制预热，点亮和驱动荧光灯，