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采用溶剂热法制备了硅基介孔分子筛材料,较系统地考察了晶化温度、晶化时间及焙烧温度等因素对其结构的影响,并利用N2吸附手段进行了表征.结果表明,晶化温度和晶化时间能明显影响硅基介孔材料的结构,而过高的焙烧温度易导致介孔结构的塌陷. 相似文献
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径向水平井弯曲转向机构影响因素仿真研究 总被引:3,自引:1,他引:2
针对径向水平井钻进中钻杆弯曲转向前进运动困难的问题,通过建立弯曲转向机构仿真有限元模型,对其主要影响因素:滑道轨迹曲率、间隙、工作压力、滚轮形状与位置和钻杆壁厚等用ANSYS软件进行仿真研究。研究表明:影响截面变形的主要因素是滑道曲率的改变和滑道摩擦因数,钻井失败时钻杆所受阻力的增大不是因为升高工作压力导致截面变形过大与滑道干涉所致,钻杆经校直段,钻头中轴线与校直中心线存在一定的角度,即钻杆的前进轨迹就会偏离理论值,或与地层干涉,或可能再次发生弯曲变形;另一主要原因是转向器滑道工作恶化。增加钻杆壁厚,降低工作压力和滑道摩擦因数,设计合理弯曲转向机构是解决问题的关键。 相似文献
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本文在介绍传统FFT原理和流程的基础上,根据具体应用要求,结合基-4算法的长处,对传统基-8FFT的结构做了改进,并用ASIC实现了一个12位64点复数FFT的计算。布线后门级模型的仿真验证了改进后的结构不但计算正确,而且效率有显著的提高。论文最后简单总结了改进后12位64点复数FFT专用电路目前已经达到的性能指标。 相似文献
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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
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10.
在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性. 相似文献