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1.
《Planning》2019,(25):111-112
目的:观察重复经颅磁刺激(rTMS)治疗精神分裂症患者的干预效果。方法:拟选取本院2018年1-12月收治的精神分裂症患者100例作为研究对象,按照随机数字表法分为对照组与观察组,各50例。两组均给予常规治疗及rTMS,对照组治疗期间给予常规干预,观察组在对照组基础上给予综合护理干预,比较两组干预前后临床症状、焦虑、抑郁程度以及临床疗效。结果:干预前两组各项PANSS评分比较,差异均无统计学意义(P>0.05);干预后观察组各项PANSS评分均明显优于对照组(P<0.05);干预前两组焦虑自评量表(SAS)及抑郁自评量表(SDS)评分比较,差异均无统计学意义(P>0.05);干预后观察组SAS与SDS评分均明显低于对照组(P<0.05);观察组治疗有效率明显高于对照组(P<0.05)。结论:综合护理干预可有效改善精神分裂症患者行rTMS治疗期间焦虑与抑郁,进一步提高临床效果,值得在临床推广实施。 相似文献
3.
AlSb晶体内二维磁极化子的磁场与温度效应 总被引:1,自引:0,他引:1
在考虑声子之间相互作用的同时,本文应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子特性的影响。对AlSb晶体所作的数值计算结果表明,随着磁场的加强,磁极化子平均数减少;随着温度的增加,磁极化子平均数也增加;随着温度的增加,电子自旋作用以及声子之间相互作用都加强;随着磁场的加强,电子自旋作用增加而声子之间相互作用基本不变。 相似文献
4.
5.
6.
7.
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献
8.
MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。 相似文献
9.
回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
从铁磁质的磁化强度一般表示式出发,探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响,导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。 相似文献
10.
本文介绍单相负载适用在三相电网中的新型产品——T接磁调的关键技术,阐述了T接磁调的基本工作原理、结构特点和优越性。 相似文献