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The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively. 相似文献
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本文研究短程透镜的焦点位于端面外的球差特性。对焦点位于波导外部(包括端面)的情况给出了一种精确测量焦距新方法,采用这种方法简单易行,测量精度取决于读数显微镜的读数精度(0.01mm)。 相似文献
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无线电引信是防空导弹的重要组成部分,其中的微波探头更具有较大的设计难度,文章对关键微波器件的功能和设计方法进行了分析,侧重于从结构设计的角度论述了设计成果的可生产性与可使用性。 相似文献
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