绿色荧光粉YAGG∶Tb,Gd用于FED的尝试

FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0～ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和     

我国第一台FED荧光粉发光性能测试系统运转正常

在各种平板显示器件中，场发射显示(FED)是与阴极射线管(CRT)最为接近的一种显示方式，同属阴极射线激发荧光粉发光，因此，FED被认为是一种非常有潜力的显示技术。与CRT相比，FED是在低电压大电流下工作，传统的CRT荧光粉用在FED上会出现许多问题。为此，北京有研稀土新材料股份有限公司等多家单位都在进行FED荧光粉的研制。但在研制过程中，由于没有低压阴极射线激发下荧光粉发光性能测试的仪器，FED荧光粉的研制工作进展缓慢。     

(Y,Gd)BO3:Eu3+荧光粉的合成及粒度控制

使用草酸共沉淀法合成了钇钆铕氧化物生粉, 以此为原料合成了PDP用(Y,Gd)BO3:Eu3 荧光粉; 研究了各种因素对(Y,Gd)BO3:Eu3 荧光粉相对亮度及粒度的影响. 结果表明, 加入适当的添加剂可以有效控制荧光粉的粒度和颗粒形貌, 但加入量过多会影响荧光粉的亮度; 温度、保温时间、预烧、硼酸配比等参数均对荧光粉度及粒度有较大影响. 给出了优化的工艺参数, 按此工艺可以直接合成粒度2～4 μm的荧光粉, 无须球磨分散. 在λex=147 nm激发时,该荧光粉色坐标x=0.644,y=0.356.     

喷雾热解法合成球形(Y,Gd)BO3:Eu荧光粉的研究

采用喷雾热解法合成了无团聚的球形(Y,Gd)BO3∶Eu荧光粉。研究了各因素对(Y,Gd)BO3∶Eu荧光粉体的结晶性能、外观形貌及发光强度的影响。结果表明,按120%硼酸的化学计量比于900℃喷雾热解,再经过1200℃后处理2 h,可以合成结晶良好的(Y,Gd)BO3∶Eu荧光粉体;喷雾热解溶液的浓度和载气流量对荧光粉的外观形貌影响较大;铕含量为10%时可以获得最佳的发光强度。在优化喷雾热解实验条件下成功合成出良好发光强度的PDP用(Y0.6Gd0.3)BO3∶Eu0.1荧光粉。     

一种新的单基双掺稀土三基色荧光粉SrB4O7：Eu,Tb体系光谱特征

一种新的单基双掺稀土三基色荧光粉ＳｒＢ_４Ｏ_７：Ｅｕ，Ｔｂ体系光谱特征高勇，石春山（中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室，１３００２２）硼酸盐荧光材料是近年来引人注目的一类光致发光材料，分别以Ｔｂ３＋，Ｅｕ２＋为激活剂可以得到高效的灯...     

Sr／Ca比变化对红色荧光粉Ca1-xSrxS：Eu^2＋的影响

在CO气氛下采用固相反应法合成了发红光的Ca1-xSrxS:Eu^2 荧光粉，研究了基质阳离子Sr／Ca比变化对其晶体性质及发光性能的影响。结果表明，随着Sr／Ca比的减少，荧光粉的晶胞参数逐渐降低；同时，由于受电子云膨胀效应和晶体场影响，发射主峰向长波方向移动，红色比逐渐增大，色纯度提高。     

GaN基三维结构生长与器件应用

目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题。为消除极化电场的影响,人们开始关注半极性和非极性面GaN。其中,基于传统极性面衬底通过三维结构生长来获得半极性和非极性GaN的方法,由于其低成本和生长的灵活性,受到了广泛研究。本文首先总结了三种GaN三维结构的制备方法并分析其生长机理。接着,在此基础上介绍了不同晶面InGaN量子阱的外延生长和发光特性。最后,列举了GaN基三维结构在半极性面LED、颜色可调LED和无荧光粉白光发光二极管方面的应用。     

低温制备Mn4+掺杂Gd2ZnTiO6红色荧光粉及其发光性能研究

Mn4+掺杂A2BB'O6型双钙钛矿红色荧光粉可应用于植物生长照明领域而受到广泛研究,但该类荧光粉的合成温度普遍较高.通过添加一种新的助熔剂LiCl,成功将Gd2ZnTiO6:Mn4+ (GZTO:Mn4+)的合成温度从1300℃降低至950℃.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、激发...     

X射线增感屏用纳米CaWO4的Pechini溶胶-凝胶法制备及其光学性能

采用Pechini溶胶-凝胶法制得纳米级CaWO4荧光粉,通过X射线衍射图、扫描电镜和发射光谱对其形貌和发光性能进行了研究,结果表明750℃条件下所得样品为纯相CaWO4晶体,在X射线激发下发射峰位于420nm,与感蓝胶片的光谱灵敏度匹配良好。其粒径在纳米量级且粒度分布集中是该方法所得CaWO4荧光粉的突出优点。将此荧光粉制成X射线增感屏并与市售同类产品相比,该增感屏可使感光片的成像质量显著提高。     

InGaN蓝光与CdTe纳米晶基白光LED

报道了倒装焊InGaN蓝光LED与黄光CdTe纳米晶的复合结构。利用蓝光作为CdTe纳米晶的激发源,通过光的下转换机制,将部分蓝光转化为黄光,复合发射出白光。室温下正向驱动电流为10mA时,发光色品坐标为x=0.29,y=0.30。实验表明,该复合结构白光LED的一大优点在于,复合光的色品坐标几乎不随正向驱动电流大小变化,颜色稳定。