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1.
2.
后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 相似文献
3.
Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能与XPS研究 总被引:4,自引:1,他引:4
采用气相法对钛酸钡陶瓷扩渗Nd元素,
经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能发生了十分显著的变化. 通过正交实验,
确定了最佳扩渗条件, 当Nd的浓度为2%, 扩渗时间为4 h, 扩渗温度为860
℃时, BaTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从4.3×109 Ω*m下降为37.45 Ω*m,
而且随着温度升高, 交流电导逐渐增大, 导电性更强. Nd扩渗使BaTiO3陶瓷的介电常数增加,
而介电损耗降低, BaTiO3陶瓷的介电性能得到了显著改善. 经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的介电常数随着温度的变化呈明显的PTC效应,
其居里温度降低为118.1 ℃. 经XPS测试分析, 给出了Nd扩渗BaTiO3陶瓷体系中各元素结合能位置的峰值,
并表明 Nd扩渗BaTiO3陶瓷中Nd, Ba, Ti都存在变价, 因而导致了BaTiO3陶瓷导电性的增强. 相似文献
4.
CaTiO3纳米粉体溶胶-凝胶法合成、表征及介电特性 总被引:4,自引:0,他引:4
采用无机盐溶胶-凝胶法制备了CaTiO3纳米粉体,采用TG-DTA、XRD、TEM等技术进行了表征,并探讨了CaTiO3纳米粉体烧结特性及介电效应。结果表明,干凝胶800 ℃低温煅烧可获得粒径分布较窄、平均粒径为60~70 nm的单相CaTiO3纳米粉。纳米CaTiO3粉具有较大的比表面积,使作为粉体烧结驱动力的表面能剧增,促使CaTiO3在1 200 ℃实现致密烧结,比固相法制备的微米粉烧结降低100~200 ℃,且具有较宽的烧结温区。与微米级粉体烧结体介电特性相比,纳米粉具有更高的Qf值。纳米CaTiO3粉制备的陶瓷在1 250 ℃烧结2 h,获得优良的介电性能:εr=172,Qf=4 239 GHz,τf=+7.68 × 10-4 ℃-1。 相似文献
5.
将钛酸四丁酯和硬脂酸在熔融状态下混合均匀后置于冷水浴中,使其凝固成凝胶,通过控制烧结过程中氧气的含量,成功地制备出粒度均匀、介电性能好的纳米晶TiO2.通过采用X射线光电子能谱和表面光电压谱对纳米晶TiO2表面状态的分析发现,材料表面存在大量的氧空位缺陷,暴露在粒子表面上的主要是一些金属Ti4+.纳米材料的这种表面状态对其极化性质具有重要的影响,使其在接近静态条件下的低频介电常数远大于常规材料的介电常数. 相似文献
6.
采用柠檬酸凝胶法两步热处理工艺制备了单相Ba2Ti9O20。干凝胶在750 ℃热处理得到了物相为BaTi5O11和Ba4Ti13O30、尺寸为30~50 nm的前驱体粉体。纳米前驱体具有高表面活性,促使单相Ba2Ti9O20在1 200 ℃热处理温度下形成。两步热处理所得的粉体比一步热处理所得的粉体具有更好的烧结和介电特性,两步热处理所得的粉体,在1 250 ℃烧结4 h,可获得理论密度为97%的Ba2Ti9O20微波介质陶瓷,其介电性能:εr=38.5,Qf=19 320 GHz,τf=8.7×10-6 ℃-1。 相似文献
7.
用CALPHAD技术优化计算了稀土卤化物熔盐TbCl3-ACl(A=Li,Na,K,Rb,Cs)五个二元系相图以及其热力学性质。优化采用了短程有序-扩展似化学模型,得到了热力学性质和相图自洽一致的结果,并与相应的实验相图进行了比较,对其中差异的部分进行了分析和修正。讨论了热力学优化结果,并探讨了过剩热力学性质变化的规律和特征。 相似文献
8.
聚醚聚氨酯双离子型离聚物的介电性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
以4,4'-二苯基甲烷二异氰酸酯(MDI)、N-甲基二乙醇胺(MDEA)和聚四氢呋喃(PTMD)以2:1:1(mol比)合成聚醚型聚氨酯,MDEA的叔胺基与γ-丙磺内酯反应,制备了不同磺化程度的双离子型离聚物.在不同温度与频率(-150-30℃,20Hz—100KHz)下,测定了其介电性能.结果表明,随离子化程度的提高,ε'增大,α弛豫介电损耗峰移向低温,说明相分离越趋完善;β弛豫单元的活化能(△Hβ)基本不变;α弛豫单元的活化能(△Hα)依次变小.介电测量结果与动态力学方法研究结果相吻合. 相似文献
9.
配位聚合物通常是通过某种有机配体与金属的配位几何选择以及无限网络的拓扑结构控制而形成的具有无限结构的化合物 [1] ,其结构新颖并具有不寻常的光电效应、非线性光学性能、磁性、超导及催化等诸多具有诱人应用前景的独特性能 .因此 ,近年来倍受化学家和材料学家的重视 [2~ 5] .以 Co为配位中心的配位聚合物若具有八面体构型 ,在一定条件下具有自旋转换能力 ,而且往往可与光电转换能力相关联 ,是一种潜在的新型信息存储材料 [6 ] .对于配位聚合物的形成 ,配体的选择最重要 . 4,4′-联吡啶及其衍生物是一种较好的刚性配体 ,相关的配位聚… 相似文献
10.
The merocyanine dye 3-ethyl-5-(2-(3-ethyl-2-benzothiazolinylidene)-ethylidene)-rhodanine (BTER) known as Agfa-10 has been found to have a good photoconductivity as solution cast film. In this paper iodine-doped BTER was obtained by doping with iodine vapor. Its structure was investigated with the following characteristies. 1 The doped iodine had been excited as I_3~- anion. 2 Because the electron located on the sulphur atom was transferred to iodine, the charge transfer complex of (BTER-I_3) formed. 3 During the iodine doping process, BTER changed from α-form to β-modification. These had been identified by X-ray diffraction, VIS-absorption spectra and SEM picture.4 From the volt-Ampere curve obtained from sandwich cell, when E≤2.2×10~(-1) V·cm~(-1), the room temperature electrical conductivity of BTER and BTER-I_3 were found to be 2.22×10~(-10) s·cm~(-1) and 2.6×10~(-7) S·cm~(-1), respectively. 相似文献