全文获取类型
收费全文 | 2003篇 |
免费 | 426篇 |
国内免费 | 333篇 |
学科分类
数理化 | 2762篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 38篇 |
2022年 | 56篇 |
2021年 | 62篇 |
2020年 | 45篇 |
2019年 | 35篇 |
2018年 | 33篇 |
2017年 | 29篇 |
2016年 | 35篇 |
2015年 | 62篇 |
2014年 | 210篇 |
2013年 | 123篇 |
2012年 | 123篇 |
2011年 | 116篇 |
2010年 | 118篇 |
2009年 | 177篇 |
2008年 | 105篇 |
2007年 | 91篇 |
2006年 | 114篇 |
2005年 | 91篇 |
2004年 | 87篇 |
2003年 | 93篇 |
2002年 | 62篇 |
2001年 | 70篇 |
2000年 | 51篇 |
1999年 | 61篇 |
1998年 | 60篇 |
1997年 | 79篇 |
1996年 | 57篇 |
1995年 | 48篇 |
1994年 | 43篇 |
1993年 | 65篇 |
1992年 | 70篇 |
1991年 | 83篇 |
1990年 | 67篇 |
1989年 | 70篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有2762条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
以1,4-二溴-2,5-二甲基苯和4-吡啶硼酸为原料,经两步合成了一种新颖的含吡啶基团的二羧酸配体。通过核磁共振氢谱及傅里叶变换红外光谱对配体结构进行表征,通过热重分析对配体的热稳定性进行了测试;通过溶剂热法对配体的单晶进行培养,并考察反应温度、时间、pH和溶剂等条件对单晶培养的影响。结果表明:在反应温度为80 ℃,反应时间为12 h、溶剂为蒸馏水、溶液pH=5的条件下可获得高质量单晶。该配体为单斜晶系,属于C2/c空间群,结构中含有4个氧原子和2个氮原子,可为金属离子的配位提供足够的位点,有望应用于配合物的设计或催化、吸附和医药载体等行业。 相似文献
3.
在本工作中,我们成功制备了层状过渡金属磷族化合物BaMnBi2单晶样品,并研究了该化合物的磁学性质和电学输运性质.准二维化合物BaMnBi2具有四方晶体结构,主要包含有两个Bi四方格子层和一个共边的MnBi4四面体层.磁化率显示BaMnBi2在TN =288 K以下发生反铁磁相变,并表现出很强的磁各向异性.在反铁磁相变温度TN 以上,磁化率随温度呈线性关系,暗示体系在顺磁态具有很强的反铁磁关联.电阻率随温度变化曲线和在磁场下电阻率随角度的变化曲线都表明BaMnBi2具有准二维的电子结构.磁场导致的金属-绝缘体转变和低温下大的非饱和线性磁阻,与Bi四方格子层存在狄拉克费米子是一致的. 相似文献
4.
关新民 《新疆大学学报(理工版)》2002,19(1):95-99
介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊--PD控制器,讨论了在SIMULINK环境下模糊-PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法,并给出仿真结果与结论。 相似文献
5.
用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响. 相似文献
7.
通过研究(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMNT)单晶在不同方向、不同组分下高场致应变的特性,确定了〈001〉取向PMNT单晶(29%≤x≤31%)为制作层叠式驱动器的最佳组分范围,这组分的单晶具有高场致应变、低滞后而且性能较稳定的特点.研究结果表明,在保证应变曲线的线性和低滞后的前提下,将近-2kV/cm的负电场能够运用于〈001〉方向的PMNT晶体上. 40层(每片晶片尺寸为7mm×7mm×0.7mm)PMNT层叠式驱动器在电场 -1.5-10kV/cm的驱动下,可以获得38.1μm的纵向位移,负载40N的重量后,位移量减为34μm. 相似文献
8.
Study on the in—plane electrical resistivity and thermoelectric power in single crystals of La2—xBaxCuO4 下载免费PDF全文
The in-plane electrical resistivity and thermoelectric power have been measured on single crystals of La2-xBaxCuO4 at around x=0.125. The room temperature resistivity and thermopower have their maximum values at x=0.125, indicating that the carrier concentration is the minimum and the carriers are most strongly localized at x=0.125. The observed semiconductor-like behaviour can be well described by the weak-localized quasi-two-dimensional state. The steep rise in electric resistivity of the sample at x=0.125 below 70K is attributed to the formation of static stripe-order of holes and spins, which are pinned by the low-temperature tetragonal (LTT) structure, as discovered in La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4. The temperature dependence of electric resistivity below 70K is still well described by the formula ρ∝ lnT. A definite change in the slope of thermopower is observed at the low-temperature orthorhombic-LTT structural phase transition temperature. The origin of the 1/8 anomaly is discussed in the text. 相似文献
9.
采用固-液两相混合,使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd:YVO4多晶原料,降低固相合成反应温度,减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件,采用提拉法,以(100)方向进行单晶生长,得到一系列掺杂浓度的Nd:YVO4单晶。 相似文献
10.
杨泉 《理化检验(化学分册)》2006,42(4):274-275
采用钯加抗坏血酸溶液作为基体改进荆,用塞曼效应扣除背景,对消化后的垃圾焚烧废气滤筒直接进行测定。方法的检出限为100pg,线性范围为0.2~4ng,回收率为96.8%~102.0%。 相似文献