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《电子工业专用设备》2004,33(7):45-46
日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研),日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度),突破了实用化所要求的标准 相似文献
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太钢3号高炉1987年中修时在炉腰、炉身下部4层立冷板采用软水闭路循环冷却,并在软水冷却的5.8m高度范围内采用氮化硅结合的碳化硅砖和高铝砖两环交错砌筑,至1992年2月停炉大修,生产了4年零10个月,取得了一代中修炉龄延长、生产指标改善的效果。生铁产量增加43.1%,高炉利用系数提高0.096,单位炉容产铁量增加897t,炉龄延长454天。 相似文献
6.
将氧化铝基板表面高频溅射碳化硅薄膜而构成的热敏电阻芯片焊接在一端封口的圆柱金属外壳内,能够探测温度的热时间常数大约为0.6秒。 相似文献
7.
介绍了采用碳化硅马弗砖建造钢丝连续热处理炉,不但可以节能,还能延长炉子使用寿命。提出了几个在建炉时值得注意的问题。 相似文献
8.
拥有国内最先进碳化硅精细微粉生产线、中国最大的碳化硅精细微粉生产企业——平顶山煤业(集团)易成碳化硅制品有限公司,于2008年11月22—23日,在公司举办了“构建卓越的企业文化”培训活动。 相似文献
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