双光束激发改进纳米氮化硅合成工艺

氮化硅是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施;采用双光束激发制备得到了超微非晶纳米氮化硅粉体。     

激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究

氮化硅是优良的陶瓷材料,应用广泛.本文研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备了超微的、非晶纳米氮化硅粉体.实验证明,纳米氮化硅粉体具有一些特殊的物理性能和光谱特性.     

LICVD制备纳米SiO2粉末工艺研究

对ＬＩＣＶＤ制备纳米ＳｉＯ２粉末工艺了理论分析，探索了工艺参数与粒子特征的关系，并且利用正安装置成功地制备纳米ＳｉＯ２粉末。     

用双光束激发改进纳米Si_3N_4激光合成工艺

氮化硅(Si_3N_4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si_3N_4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米 Si_3N_4粉体。     

激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究

用CO2红外激光诱志化学气相沉积的方法制备纳米Si，激光强度越大，则SiH4受热温度越高，纳米Si的成核率越高，纳米Si核的密度越大，每一个核生长所吸收的Si原子数目越少，从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值，则SiH4温度太低，不能裂解。SiH4的流速越快，则纳米Si成核后生长期越短，纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值，则SiH4受热时间太短，升不到裂解所需的高温。以上2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H，3440cm^-1光谱带红移并增强，2150cm^-1光谱带形状变化，1100cm^-1光谱带形状变化，1100cm^-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现，纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中，从低于300℃的温度开始退火。     

制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响

用激光诱导化学汽相沉积（LICVD）法制备纳米硅，发现：激光强度存在低限阈值，SiH4的流速存在着高限阈值，二者正相关，以维持SiH4裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀，应加大激光强度，并相应加快SiH4的流速，以提高纳米硅粒的成核率，减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数，并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H，纳米硅的红外吸收光谱发生变化：4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大，表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化，纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火，并且开始退火的温度低于300℃。     

激光法制备纳米氮化硅及其光谱特性研究

介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7～15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体.采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象.采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.     

纳米Si3N4制备及光学特性研究

为了制备高纯度的非晶纳米氮化硅粉体,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上,加入正交紫外光束以激励NH3分解,从而提高气相中n(N)/n(Si)比,减少产物中游离硅的摩尔浓度.利用TEM技术和光谱分析技术研究了粒子的形貌和特性.结果表明:在一定的工艺参数条件下,可制备出粒径超微(7～15 nm)、无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体;表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象;采用双光束激励的激光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.     

激光诱导六甲基乙硅胺烷制备氮化硅纳米粉体

针对激光气相合成氮化硅纳米粉体的性能与成本的矛盾,在对激光合成反应物的研究与分析的基础上,选择廉价、无氯硫、对CO2激光有强吸收、易于处理的有机硅烷反应物六甲基乙硅胺烷(HMDS)作为价格昂贵、难以处理的硅烷(SiH4)的替代反应物,进行了激光合成氮化硅纳米粉体的研究。