低铅真空蒸馏富集Ge,In,Ag

对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果：第一次蒸馏获得冷凝合金含８６．７２％Ｚｎ的粗锌，将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含７５．９４％Ｐｂ的粗铅，Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ富集于最终残留合金中，千克级规模一步蒸馏。在１０００℃下恒温１８０ｍｉｎ，真空度６６．７～３９．９Ｐａ，将Ｚｎ、Ｐｂ蒸出。残留合金中Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ的含量分别为９．９６％、６．６７％、８．９７％，富集比分别为７．２１倍、６．６７倍、     

锗γ能谱测量中的符合相加修正

本文介绍了锗γ能谱测量中符合相加修正的原理和方法,给出了修正公式。分别计算了不同几何条件下两个锗探测器对一些放射性核素的符合相加修正因子,估计了符合相加修正因子对活度测量结果的误差贡献。     

锗

需求动向：日本市场国内锗的大部分需求是用作PET(聚对苯二甲酸乙二醇脂)树脂催化剂，此外，还作为光纤涂覆材料、荧光体等。近年来，在所谓的健康用途方面需求似乎在增加，但实际情况不详。估计整体需求以金属锗计30t左右(以氧化物计44t左右)，比上年减少14％。     

锗酸铋（Bi4Ge3O12）单晶热物理性质的研究

本文用不同的测试技术和方法测定了锗酸铋(BGO)单晶的比热(300～800K)热膨胀系数(100～1100K)和导温系数(140～700K),进而导出了 BGO 单晶不同温度下的导热系数、定容比热、德拜温度和格虑内森数。本文还对 BGO 单晶热物理性质的变化规律作了理论解释。     

高纯锗探测器的快定时性能及其应用

为了将高纯锗（ＨＰＧｅ）探测器用于快定时的物理实验中，本实验研究厂影响高纯锗探测器定时谱仪时间性能的各种因素，找出了获得谱仪最小时间分辨的各种最佳参数。并建立了分辨时间为４．１９ｎｓ，能量分辨率为２０ｋｅＶ，微分非线性好于±２．０％，计效率可承受１２０×１０￣３ｓ￣（－１）的时间微分扰动角关联谱仪。利用此谱仪，以￣（２０４）Ｂｉ为探针核，研究了Ｂｉ系高温超导的微观机理，取得了较好的结果。     

扎波罗热钛镁联合企业的半导体硅与锗的生产技术状况

扎波罗热钛镁联合企业具有３０余年的半导体生产历史，拥有从原料制备，单晶生长到成品加工的系统工艺，该厂生产规模较大，技术水平高，还有强大的研究开发与检验测试组织。     

1.55μm Si基光电探测器的研究进展

从材料的生长、器件结构的选择等方面对1．55μm锗光电探测器的研究进展进行了综述，对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。     

用氢氧化钠反萃锗的试验与应用

对硫酸体系中,使用P204+Yw-100协同萃取锗、镓工艺中的锗反萃剂进行了研究,探索出采用0.5mol/lNaOH溶液作反萃剂,它既能保留原工艺流程短的优点,又能提高锗的反萃率,且反萃后的有机相在萃取过程中不易乳化,适合于含锗浓度高及低的有机相的萃取。