溅射气体和基板偏压对溅射Al2O3薄膜内应力和密度的影响

在纯Ａｒ和Ａｒ＋１０％Ｏ２两种工作气体及不同基板偏压条件下，用射频溅射方法制备了Ａｌ２Ｏ３薄膜，测量了每个样品的内应力和密度，并对部分样品用Ｘ射线光电子谱进行了结构分析。结果表明，薄膜呈非晶态，薄膜的应内应力均为压力，并给出了气体种类和偏压对膜的密度和应力的影响。     

电子束和热退火后处理的射频溅射沉积ZrO2—Y2O3薄膜的结构特征

对射频磁控溅射沉积的ＺｒＯ２－１２ｗｔ％Ｙ２Ｏ３薄膜进行了电子束处理和热退火处理。通过ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＳＥＭ等的微观分析，研究了薄膜的相结构组成，薄膜主要组成元素的氧化态以及薄膜的形貌特征。并对以提高薄膜增韧性为目的而进行的后处理的方式选择作了讨论。     

工艺参数对射频磁控溅射PTFE靶形成的等离子体组成的影响

采用四极质谱仪测量了试验参数对高压脉冲增强射频磁控溅射PTFE靶等离子体气氛的影响规律。结果表明：增加脉冲偏压、脉冲频率、脉宽、射频功率和气压能提高Az离子对PTFE靶的溅射能力，增加空间中氟碳自由基的数量，其中各参数对峰位位于25．0aum处的氟碳自由基强度影响最大：脉冲电压从10kV提高到20kV能将该峰强度提高2倍；脉宽从40s提高到100μs强度提高80倍；频率从50Hz提高到200Hz强度提高4倍；溅射气压由0．1Pa提高到0.3Pa强度提高6倍；射频功率由200W提高到400W强度提高6倍。励磁电流能有效的约束氟碳自由基的空间分布。     

氮化碳薄膜的电子结构和光学性质

在不同条件下用射频溅射方法制备了氮化碳薄膜。薄膜的电子结构和元素成分用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和光电子能谱 (XPS)进行分析 ,薄膜的光学性质用紫外可见近红外光谱 (UV)进行检测。薄膜中的最大氮原子含量达到 0 .4 7,C1s和N1s电子的结合能产生了 2 .4 1～ - 1.7eV的移动 ,移动的大小取决于制备条件。UV谱表明氮化碳薄膜能强烈地吸收紫外光 ,而对红外光有较好的透明性 ,在 2 72 0nm附近存在一明锐的吸收峰 ,并给出了形成这一明锐吸收峰的适宜条件。这些结果对作为保护光学涂层的红外应用是有意义的。     

射频溅射—热处理法研制SnO2薄膜

本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550～650℃温度条件下保温2～3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

基于WO3/NiOx膜系的固态电致变色器件研究

氧化钨和氧化镍是目前研究最多、应用最广的两种电致变色材料.本文详细地介绍了本实验室射频溅射WO3和NiOx薄膜的制备和性能以及以它们为基的夹层式固态电致变色器件的制作和性能.     

退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响

首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明导电膜.研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响.经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O:Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2.1×1019cm-3,8cm2·V-1·s-1.薄膜的可见光平均透过率达到了92.4%.薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性,对玻璃衬底有良好的附着性.     

不同基片对溅射制备MgTiO3-CaTiO3薄膜的影响

微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美.随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化.较好沉积温度是610℃～650℃.     

氧分压对氧化镍薄膜表面形貌和光电性能的影响

采用射频溅射法在SnO2衬底上生长了NiOx薄膜,制备的薄膜是非理想化学计量的微晶薄膜.研究了氧分压对NiOx薄膜的溅射速率、表面形貌和光学电学特性的影响.研究结果显示,O2分压在1∶10时,可得到最快的沉积速率;低的氧分压沉积的薄膜表面比较疏松;随着氧含量的增加,方块电阻呈上升趋势,当氧分压达到一定值时,膜电阻又开始下降;随着氧分压的升高,颜色会逐渐加深,透射率降低.     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.