CT_1型瓷介电容器全国质量分等试验耐久性试验浅析

通过对全国集中分等试验的情况总结,分析了目前CT_1型瓷介电容器的失效模式和质量状况,提出了几点改进措施。     

Pn结雪崩击穿噪声的特点及利用

一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10~(-5)V_B~0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1～1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内,上限10～100     

复合聚全氟乙丙烯材料的介电及高频击穿性能研究

在聚全氟乙丙烯(FEP)中添加 TiO_2和 Al_2O_3,通过热压成型的方法制备了 FEP/TiO_2复合材料和 FEP/Al_2O_3复合材料,研究了氧化物添加量对复合材料介电常数、介电损耗和高频击穿性能的影响。结果表明,随氧化物含量的增加,复合材料的介电常数和介电损耗均增加;在同一添加量下,TiO_2对复合体系的介电性能影响较大。FEP/TiO_2复合材料的高频击穿性能随 TiO_2含量的增加而下降,在 TiO_2含量为4.0%(质量分数,下同)时,复合材料的损伤阈值已降为 FEP 材料损伤阈值的48.9 %。而 FEP/Al_2O_3复合材料的高频击穿性能随 Al_2O_3含量的增加而升高,当 Al_2O_3含量为1.2%时,复合材料的损伤阈值已增大到 FEP 材料损伤阈值的2倍,达到313 J/m~2。     

氧化铝丝的研制

氧化铅丝生产过程中最关键的工艺是连续阳极氧化。氧化膜击穿电压决定于氧化膜厚度。控制膜厚度的三要素为:电解液(成份、浓度及温度),槽电压和铝丝走速。     

High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟

High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。     

电性能技术在高分子材料中的应用

简要叙述了绝缘材料电性能技术常规测试的基本原理．并从宏观上介绍电性能技术在高分子材料方面的几种新的应用，展望了电性能技术的发展前景。     

“胸电对电子电话机的危害及其预防

本文通过静电对电子电话机危害的实例子分析，说明了静电对电子电话机危害原因，以及在现有条件下如何预防静电对电子电话机的危害。     

氧化锌阀片2ms方波击穿机理分析

根据高压避雷器用ＺｎＯ压重复民阻阀片方波击穿形貌的显微结构分析，探讨其击穿过程的引发机制，提出了在２ｍｓ方波通流容量产品检验中ＺｎＯ阀片发生击穿的机理，并就引起阀片击穿的两个必要条件，作了初步说明。     

库车火电厂2#给水泵电动机事故分析

针对新疆库车火电厂2#给水泵电动机发生绝缘损伤,定子绕组A相,B相线圈绝缘击穿,对地绝缘为0MΩ的事故情况,进行检查、分析,找出事故原因,得出结论,提出处理建议。