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1.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
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3.
A purification method to remove the metal catalysts and impurity carbon materials from arc-discharge-grown single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) has been developed. Microporous membrane and the oxidation in the air for the crude SWCNTs were used to eliminate the coexisting metal catalysts nanoparticles,carbon nanoparticles and amorphous carbon. Then we used the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) to characterize the crude SWCNTs prepared by arc-discharge method and the purified SWCNTs. The Raman spectra and the thermogravimetric analysis (TGA) were also utilized to analyze the approach of our purification for SWCNTs. With this method the SWCNTs with the purity more than 95% could be obtained. 相似文献
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报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜(STM)和x射线光电子能谱(XPS)研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长,而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长,到Ge层的厚度为20个单原子层,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV,其相对位移约为01 eV.
关键词:
Ge
Ru表面
生长
相互作用 相似文献
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采用紫外光电子能谱,研究了新型有机发光材料八芳基环辛四烯(OPCOT)在金属Ru(0001)表面上的电子结构,以及它们之间的相互作用.位于费米能级以下43,69,93和114eV处的4个谱峰分别来自于OPCOT材料中苯环的πCC,σCC,σCH和σHH轨道,位于30eV处的谱峰反映了8个苯环聚合后具有π轨道特性的C—C键.OPCOT材料的价带顶位于费米能级以下25eV处,OPCOT材料在Ru(0001)表面上的功函数为395eV.150℃以下,OPCOT材料可以在Ru(0001)表面稳定存在.随温度的升高,OPCOT材料主要以脱附的形式减少
关键词:
八芳基环辛四烯
光电子能谱
价电子结构
脱附 相似文献
8.
有机半导体薄膜的光、电等性质取决于有机分子的取向以及长程有序性.研究有机半导体的生长机理以及内在驱动力是一个重要环节.文章通过两个典型生长体系,perylene在Ru(0001)表面上的生长和tetracene在Ag(110)表面上生长过程的介绍,给出了形成有机半导体晶化薄膜的可能性以及决定其有序生长的内在驱动力.对于perylene在Ru(0001)表面上的生长,决定其过程的主要驱动力是分子间的相互排斥作用,在单分子层时,由于这种相互作用导致形成Ru(0001)-12×12-8 perylene有序超结构.而对于tetracene/Ag(110)体系,决定生长的驱动力主要表现为相互吸引作用,因此,在小于单分子层时,tetracene呈有序的岛状生长;而当tetracene膜的厚度大于单分子层时,呈逐层生长模式,并形成具有正交晶系结构的晶化薄膜. 相似文献
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在150K的低温下,NO在清洁的Ru(1010)表面上的吸附,Hell-ARUPS显示在E以下9.3eV(5σ+1π)和14.6eV(4σ)处有两个峰,表明NO在Ru(1010)表面上是分子吸附,NO在Cs/Ru(1010)表面上的吸附,ARUPS测得在E以下6.2,9.2,11.1,12.4和14.9eV处有5个峰,和N2O气相的UPS谱比较认定它们是N2O和NO共存的结果,表明NO在Cs/Ru 相似文献
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