急性低氧条件下人脑电图的变化及低氧耐受能力与高山适应能力的关系

本文研究了低压舱急性低氧条件下,人的脑电图变化、低氧耐受能力与高山适应能力之间的关系,并根据18名受试者的测量结果,证明它们之间关系密切。     

声学参量阵转换效率提高方法

针对参量阵转换效率低的问题,提出了一种通过调节声源表面声阻抗率从而提高转换效率的方法。该方法依据描述声波非线性的Kuznetsov方程,首先通过分析方程中拉格朗日密度对参量阵差频波的影响,获得了拉格朗日密度与声源表面声阻抗率之间的关系式,得出了通过调整声阻抗率可以提高参量阵转换效率的结论。随后提出了利用穿孔板改变声阻抗率的方法,并通过数值仿真验证了该方法的有效性。结果表明,通过在声源周围布置声穿孔板可以改变声阻抗率从而提高参量阵的转换效率。     

有机分子激发态非线性吸收的瞬态特性研究

提出了一种通过测量单脉冲光的输入与输出波形来研究激发态非线性吸收的新方法，用这种方法研究了纳秒脉作用下类卟啉镉溶液与甲基橙溶液的三重激发态的非线性吸收特性，前者为反饱和吸收现象，后者是由饱和吸收转化为反饱和吸收的新现象，实验结果验证了理论模拟和正确性。     

旋转射弹高速倾斜入水多相流场与弹道数值模拟

基于VOF多相流模型和有限体积法求解水、汽、气多相流动的RANS方程，结合重叠网格技术和six DOF算法对某一型号舰载射弹倾斜入水过程进行数值模拟研究。首先基于该方法研究了射弹旋转效应对射弹运动特性及流体动力特性的影响，然后对不同入水角下倾斜入水过程进行分析，得到不同倾角下旋转射弹入水空泡形态发展规律、弹体运动特征及流体动力特性变化规律。研究结果表明:射弹的旋转有利于弹体在初始对称面内的弹道稳定性，但会降低弹体侧向稳定性，使射弹受到的阻力系数、俯仰力矩系数变小；入水角越小，形成的空泡越不对称，由射弹运动状态的改变引起的空泡形态变化越明显，在超空泡航行阶段，弹体运动较稳定，不同角度下流体动力系数差别很小，当弹体下表面刺破空泡壁沾湿时，弹体运动状态发生较大变化，流体动力系数迅速增大，此时入水角度过小，弹体容易失稳；弹体的沾湿对空泡形态、弹体运动稳定性和流体动力特性有着重要的影响。     

多孔氧化铝模板制备ZnS纳米线阵列及其光致发光谱

利用阳极氧化铝（AAO）模板,采用电化学沉积方法制备出了ZnS纳米线阵列。扫描电子显微镜（SEM）结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致（约50nm）,孔口呈六边形。TEM结果显示硫化锌纳米线的直径约50nm（与AAM模板孔径一致）,长度约为20μm（与AAM模板厚度一致）。电子衍射结果表明ZnS纳米线为多晶结构。比较了AAO模板组装ZnS纳米线阵列前后的光致发光谱,所得光谱显示,组装了ZnS纳米线阵列的模板的光致发光谱比没有组装的空模板相比多出两个发射峰,分别位于409,430nm,且其发光强度随激发波长的增长而增强。解谱分析表明,这即为ZnS纳米线阵列的发光光谱的两个发射峰,是由导带与受主能级间的跃迁发光和施主与受主能级间的复合跃迁发光共同作用所致。发现由于纳米线尺寸的单一性,发射峰窄化明显,半峰全宽较小,这种现象在其他文献中未曾报道过。     

基于微结构演化的V5Cr5Ti合金塑性本构模型

为合理描述V5Cr5Ti合金的塑性变形行为,本文建立了基于微结构演化的塑性本构模型。首先,采用小尺寸试样开展了V5Cr5Ti合金单轴拉伸试验,并对其在不同应变程度下的微结构演化特征进行了分析。研究发现,影响V5Cr5Ti合金塑性变形行为的主要因素是位错密度演化以及团簇状和弥散析出相。据此建立了位错密度演化方程、组分相含量体积分量演化方程,并考虑团簇状和弥散状第二相对V5Cr5Ti合金流动应力的影响,进一步建立了包括非热应力、热激活应力和弥散相强化应力的流动应力关系式。最后,根据隐式应力更新算法对新模型进行了有限元实现,并与实验结果进行比较,验证了新模型的合理性和预测精度。     

氟碳磷脂的合成及其脂质体的生成

合成了两种具有氟碳疏水性链的磷脂, 其极性部分分别为胆碱和磷酸根. 超声分散下, 上述两种磷脂均可形成腈质体, 以电子显微镜观察和动态光散射测定得到胆碱形成的脂质体的尺寸在32-37nm左右. 而对后者的光散射测定得出的尺寸较大并与溶液的pH值有关. 具有胆极性基的氟碳脂质体如同相应的碳氢磷脂一样, 具有包容水溶性受物的能力,但透光性更好. 从荧光探针的荧光强度对温度变化的研究指出, 在53℃左右胆碱型氟碳脂质体发生了相变.     

Compact Arrayed-Waveguide Grating on Silicon-on-Insulator with Integrated Waveguide Turning Mirrors

A compact arrayed-waveguide grating （AWG） on the silicon-on-insulator material is designed and fabricated with employment of waveguide-integrated turning mirrors （WITMs）. By properly setting the incident angle with the value of 45°, the effective area of the WITM AWG is only 1.15 cm×1.15 cm with the arrayed waveguide area of 0.6cm×0.6cm. The crosstalk of the fabricated 1×6 AWG is better than -19 dB. The on-chip insertion loss is about -8.8 dB and the output nonuniformity is less than 0.6 dB. The polarization-dependent central wavelength shift is about 0.048nm and the polarization dependent loss is neglectable.     

线性电压扫描法测量硅的体产生寿命和表面产生速度的研究`

本文采用 Rab bain 的 产 生 区 宽度模 型,导 出了描述线性 电压 扫描 作用下 M O S 电容 器的电容 一 时间瞬态特性的微分方程,通过积分这一微分方程,得到 了描述线性 电压 扫描作用的M O S 电容器的 电容 一时 间瞬 态特性方 程.依据这 一方 程,提出了一 种确定体产生寿命和 表面产生速度的计算方法.