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1.
《LED数显钟控定时器》一文本刊1995年第8期刊出后,许多读者来信询问LR 6818及TOF 3407等器件的细节,现请该文作者李浩然先生就读者提出的问题解答如 相似文献
2.
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO2磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响。所用抛光液(pH=10)主要由0%~4%(质量分数,下同)SiO2、0.075%H2O2、1%邻苯二甲酸氢钾和不同质量浓度的表面活性剂组成,其中表面活性剂为非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-9和AEO-15)、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)和两亲性非离子表面活性剂辛基苯酚聚氧乙烯醚(OP-50)。结果表明,磨料质量分数的增大会使ULK介质的去除速率和k值都增大。聚醚类表面活性剂都能在CMP过程中很好地保护ULK介质表面,降低其去除速率,OP-50的效果尤其好。当采用2%SiO2+0.075%H2O2+1%KHP+200 mg/L OP-50的抛光液进行CMP时,ULK介质的去除速率为5.2 nm/min,k值增幅低于2%,Cu和Co的去除速率基本不变。 相似文献
3.
考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为。结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1%时腐蚀电位最低。在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN材料的腐蚀速率进一步提高。CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN在1%KBrO3溶液(pH=4)中的抛光速率提高,而再加入光催化剂二氧化锡(SnO2)会使得GaN材料的抛光速率进一步提高。当KBrO3质量分数为1%,pH=4时加入紫外光和0.2%(质量分数)SnO2,GaN材料的抛光速率可达502.4 nm/h,抛光后晶片表面的均方根粗糙度为0.11 nm。 相似文献
4.
Based on the concept of “element” and the fundamental thermodynamic principle,the relationships of the residual properties,the property changes of mixing,excess properties,fugacity coefficients and activity coefficients between the hypothetical solution of elemental species and the equilibrated solution of actual species were established.The hypothetical solution of elemental species provides a way of reducing the dimensionality of problem, simplifying the analysis and visualizing the phase behavior. 相似文献
5.
6.
7.
BLAS (Basic Linear Algebra Subprograms)是一个基本线性代数操作的数学函数标准, 该库函数分为三个级别, 每个级别提供了向量与向量(1级)、向量与矩阵(2级)、向量与向量(三级)之间的基本运算. 本文研究了在申威1621处理器上BLAS一级函数的优化方案, 以函数AXPY为例, 充分利用平台的架构特点对其进行性能调优,设计了自动的线程分配方案. 实验结果显示优化过后的BLAS一级函数AXPY相对于GotoBLAS参考实现版本的单核和多核加速比分别高达4.36和9.50, 对于每种优化方式均得到了一定的性能提升. 相似文献
8.
为对光学薄膜缺陷图像进行准确识别分类,提出一种基于改进的卷积神经网络光学薄膜缺陷图像识别方法。为突出输入图像中的缺陷信息,采用改进的LBP算法对图像进行预处理。从三个方面对传统的卷积神经网络进行改进:为了解决单通道卷积神经网络对图像特征提取不充分的问题,构建双通道卷积神经网络;改进传统的ReLU激活函数,避免模型出现欠拟合现象;使用支持向量机(SVM)代替Softmax分类器,提高计算效率和准确率。光学薄膜缺陷图像仿真识别实验表明,所提方法分类平均准确率高达93.2%,训练时间为964 s,充分验证了所提方法的鲁棒性和有效性。 相似文献
9.
细菌浸出是镁质低品位铁镍硫化矿的潜在处理方案之一。针对该矿石浸出活性较低的问题,研究了硫酸预浸出和硫酸铵焙烧预浸出2种活化方案,并与细菌直接浸出(空白试验)做了比较。结果表明,2种活化方案都有利于金属回收,但硫酸铵焙烧预浸出方案的活化效果更优:浸出时间为8 d时,Ni、Cu和Mg的浸出率分别为90.2%、89.56%和61.19%,分别高于硫酸预浸出方案2.08%、12.2%和8.95%。矿石中的Mg主要在硫酸铵焙烧预浸出阶段进入溶液,细菌对Mg浸出的影响不大。XRD和能谱分析表明:浸出渣中Ni和Cu的残留量很低,Mg主要存在于难浸出的蛇纹石之中。 相似文献
10.