基于Fiducial推断的Bayes验前分布的表示

先验分布的确定与表示是Bayes统计推断的出发点和关键点。提出了一种基于信仰推断 (FiducialInfer ence)观点确定Bayes先验分布的设想 ,有助于解决无验前信息或验前历史信息较少时先验分布的确定问题 ,文中给出了一个实例说明了该方法的应用     

仗在一起打 兵在一起练——安徽省宿州军分区组织军警民综合演练

盛夏酷暑,安徽省宿州军分区和武警消防、人防抢修、交通战备、公安特警等专业力量,在淮海战役主战场展开军警民联合实兵实装综合演练。这个军分区坚持以作战任务为牵引,通过平时的联建、联训、联用,全面提升辖区内军警民等各类应急应战力量遂行多样化军事任务的能力,通过军警民综合演练,有效提高实战能力,实现了从“纸上谈兵”到实兵实装演练的转变,锻造了一支支能打仗、打胜仗的尖兵。     

水泥土搅拌桩的常见问题及应对措施

本文介绍了水泥土搅拌桩在施工中应注意的一些事项,并提出施工不当会出现的几种问题及应对措施,提出应严格控制施工管理、施工组织,保证施工质量。     

新形势下加强流动党员管理初探

随着国有企业改革的不断深化,下岗职工中党员和流动党员的数量相应增多,如何对这部分党员加强管理,一直是基层党组织建设的一个难点和重点。兵团三建巴州工程指挥所党委对此进行了有益的尝试,并取得了初步成效。巴州工程指挥所有32名党员待岗、下岗后,为了谋生,长年在外奔波,参加组织生活和交纳党费均不正常和比较困难,在客观上处于"放羊"状态。对此,巴州工程指挥所的具体做法是:一、逐户走访,了解他们的思想动态、生活情况。巴州工程指挥所是在原兵团三建四分公司、物资公司、六分公司三个单位合并基础上组建的,党员分布很散,在库尔勒棉纺厂、石油大二线、火车东站、新团部驻区都有长年"放羊"的党员。为了把这些党员组织起来,使他们能够感受到政治上的关心、组织上的温暖,指挥所政工科的同志受党委     

顾及地磁影响的GNSS电离层层析不等像素间距算法

突破传统全球导航卫星系统(Global Navigation Satellite System, GNSS)层析反演研究忽略地球磁场对电离层变化活动的影响,同时顾及不同电离层高度电子密度变化较大的影响,提出在地磁坐标系下建立电离层高度方向上不等像素间距的GNSS层析反演方法。在此基础上,通过建立新的电离层层析迭代松弛因子,提高GNSS电离层电子密度层析反演结果精度。利用IRI—2007电离层模型、GNSS实测数据与电离层测高仪数据,从模拟验证和实测数据对比两方面,反演统计了不同层析算法估算的峰值电离层电子密度误差、电子密度剖面结果平均绝对百分比误差及均方根误差,验证了顾及地磁影响的GNSS电离层层析不等像素间距算法的有效性。     

对数正态分布加速因子的Bayes估计

基于对数正态分布形式以及分布对数标准差不变的条件,运用Bayes方法对对数正态分布加速寿命试验条件下的加速因子进行分析。首先基于全寿命试验数据和随机变量函数分布的理论推导出加速因子的先验分布;然后由Bayes公式结合少量的现场截尾试验数据,得出加速因子的Bayes估计模型;最后给出实例进行说明。     

基于中位秩的动态可靠性增长模型

给出了一种动态可靠性增长模型。首先利用统计中的中位秩法结合试验数据确定各个增长阶段的失效率 ,这一技术可以很好地解决小子样问题 ,并且由于利用了动态建模的思想 ,因而可以客观地反映系统的实际状态。其次 ,该模型继承了传统Duane模型简单、直观、易于进行参数估计的优点 ,同时又很好地处理了传统Duane模型所不适用的分阶段、多场景试验的情形 ,因而有很广阔的工程应用前景。最后通过仿真实例验证了该模型的正确性     

机动导弹系统生存能力评估的结构模型

在对导弹系统构成进行分析的基础上,建立了机动导弹系统生存能力的串联、并联、备份框图模型,并对机动导弹系统结构化模型的解析求解方案进行阐述,最后通过实例说明生存能力结构化建模的思想。     

注重能力建设促进全面发展

十六届四中全会《决定》指出,加强党的执政能力建设,是关系中国社会主义事业兴衰成败、关系中华民族前途命运、关系党的生死存亡和国家长治久安的重大战略课题。62101部队党委中心组在学习贯彻《决定》中,紧密结合本单位实际进行了深入思考,认为他们加强自身的能力建设,就是要紧紧围绕中国特色军事变革要求,努力提高领导部队全面建设的能力,其核心是要解决“打得赢”、“不变质”两大历史性课题,关键是要大力提高部队战斗力,重点是要增强信息化后勤建设和保障能力。本刊就如何提高领导部队全面建设的能力问题对他们进行了专访,现从中节录部分内容刊发,以供交流和借鉴。     

阻变存储器发展现状

在纳米电子器件时代,来自量子隧穿和电容耦合等问题的挑战,使得Flash半导体存储器的发展遇到瓶颈。阻变存储器是忆阻器在二值情况下的特殊应用,因其结构简单、高密度、高速、低功耗、与CMOS工艺兼容以及具备三维集成能力,成为最具发展潜力的下一代非易失存储技术之一。在国内外学者的共同努力下,阻变存储器的研究已经取得了诸多突破性的进展。本文主要综述阻变存储器的发展历程、材料体系和阻变机理,并总结展望了阻变存储器进一步发展的优势和面临的挑战。