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采用传统固相反应方法,制备了(Ba0.2Sr0.8)1-1.5xBixZn0.04Ti0.98O3(x=0.00、0.01、0.02、0.03)陶瓷材料,用X射线衍射、扫描电子显微镜和变温介电谱方法,对它们的晶格结构、微观形貌和复介电常数进行了测量和分析.结果表明:1)Zn2+和Bi3+进入到Ba0.2Sr0.8TiO3晶格中并与之形成ABO3钙钛矿型固溶体;2)随Bi2O3掺入,陶瓷的室温晶系结构由立方相转变为四方相,同时出现在约120K的弥散相变转化为弛豫相变;3)Bi2O3掺杂对晶粒生长有明显的抑制作用,但晶粒之间的连接性增强,陶瓷的致密度增加;4)当T=300K,f=1Hz,当Bi3+的掺杂量为0.01mol时,陶瓷样品室温介电常最大(ε'=1529.95),此时室温介电损耗值为最大(tanδ=3.366×10-2).上述结果为该类陶瓷掺杂改性研究,以及弛豫相变机制探索提供参考. 相似文献
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采用固相反应方法制备出(1-x)Ba 0.2Sr0.8Ti0.98Zn0.04O3+xY2O3(x=0,0.02,0.025,0.03)陶瓷材料,并研究Y2O3掺杂对BST-Zn陶瓷样品结构和介电性能的影响,得到以下结论:(1)一定量的Y2O3掺杂,可使BST-Zn陶瓷的晶胞体积增大,晶粒尺寸减小;(2)频率为10Hz时,当掺入2%Y 2 O 3时,ε'最大值可达到885,此时介电损耗为0.024;(3)Y 2 O 3掺入使得低温的弥散相变转化向极化玻璃化转变,并在250K和350K附近出现新的弛豫过程. 相似文献
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采用固相反应方法制备了系列Znce共掺杂Bao.2Sr0.8TiO3陶瓷材料,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和变温变频介电谱方法,对它们的微观结构和复介电常数进行了测量.结果表明,Zn^2+、Ce^4+的掺入,没有改变陶瓷试样的晶相结构,形成了均匀的固溶体.在1Hz测得的介电性能结果表明,随着Ce^4+掺杂量的增加,介电常数实部ε′逐渐增大,介电损耗tan占逐渐减小,介电常数峰明显减弱,并有逐渐变宽的趋势,呈现明显的相变弥散效应特征.当掺杂量Zn^2+为0.03864mol,C^4+为0.06mol时,陶瓷试样的介电损耗最小,为1.75×10^-3(1Hz). 相似文献
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采用传统的固相反应法制备了(1-x)BaZr0.25Ti0.75O3(BZT)+xSm2O2(X=0,0.002,0.004,0.006,0.008,0.01)的铁电陶瓷,用X射线衍射和介电谱方法研究了Sm2O3的掺杂对BZT陶瓷结构和介电性能的影响.结果表明,Sm2O3的掺入没有改变BZT晶体钙钛矿结构,并且随着Sm^3+取代浓度增大,衍射峰向高角度略有偏移,说明晶面间距减小;随着Sm2O3,掺杂量的增加,BZT介电峰向低温区移动,并且被压低展宽,BZT陶瓷介电常数和介电损耗随Sm2O3掺杂量的增加而减小,频率对各组分的介电常数影响较小,在T=300K,f=10^4Hz时,发现Sm2O3掺入量为0.01时具有较大的介电常数和较小的介电损耗. 相似文献
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通过利用极小作用原理得到了二阶非自治 Hamilton 系统{ü(t)=(△)F(t,u(t))u(0)-u(T)=u(0)-u(t)=0 a.e.t∈[-T/2,T/2],在空间H'T={u:[-T/2,T/2]→RN|u绝对连续,u(-T/2)=u(T/2)且∈L2(-T/2,T/2;RN)}上存在偶函数和奇函数期解的条件. 相似文献
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用X射线衍射方法,对采用固相反应方法制备的(Ba0.2Sr0.8)1-1.15yGdyTil-0.5xZnxO3(x=0.03864,y=0,0.04,0.05,O.06)系列陶瓷样品的物相、结构和晶粒尺寸进行测量与分析,结果表明:(1)当Gd3’含量y〈0.04时,(Ba0.2Sr0.8)1-1.15yGdyTil-0.5xZnxO3的晶体结构分别属于空间群P432(207)、P23(195)的立方晶系,晶胞体积随y增加而略有减小(-0.6%);(2)当v=0.05,0.06时,晶体结构变为属于空间群P4/n(85)、P41(76)的四方晶系,晶胞体积减小量较大(-2.7%);(3)该系列样品主要是由尺寸在441-1222A晶粒堆砌而成的晶相单一的陶瓷. 相似文献
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采用传统固相反应方法制备了BaTi0.98Hf0.02O3+x mol%Ta2O5(x=0.2、0.4、0.6、0.8、1.0、1.2、1.5)陶瓷,对陶瓷结构、表面形貌、压电、介电和铁电测试结果的分析表明:Ta5+完全进入BaTi0.98Hf0.02O3的晶格中,并与之形成ABO3钙钛矿型固溶体;除了x=0.4的陶瓷... 相似文献
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