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1.
一种PDMS薄膜型微阀的制备与性能分析 总被引:2,自引:0,他引:2
通过厚胶光刻工艺在硅片上制备SU-8胶模板,利用该模板制备了高分子聚合物PDMS(Polvdimethvlsiloxane,聚二甲基硅氧烷)微流道和薄膜结构。通过对不同结构的两层PDMS的不可逆粘接得到一种简单的阀结构,在外加气源压力作用下薄膜产生变形实现对微流道的控制。实验测量了微阀的控制气源压力与被控制液体流量之间的关系,说明膜阀的开闭性能良好。根据弹性薄膜的变形理论,对影响微阀性能的参数进行了分析,并提出了几种可行的用于薄膜微阀控制的方法。 相似文献
2.
在数据采集中采用带通采样,可大大降低采样率,但系统中的抗混叠滤波器会造成相位的非线性。采用对滤波后的信号进行带通采样,然后再用FRR滤波器校正相位的非线性,从而不失真地还原原信号,最后在Matlab中进行仿真,验证了该方法的有效性。 相似文献
3.
1 INTRODUCTIONParticlesreinforcedtitaniumalloymatrixcomposites(TMCp)havewideapplicationfieldsfortheirattractivehighspecificstreng 相似文献
4.
5.
7.
煤炭作为山西经济发展的支柱产业,在实现全面建设小康社会的奋斗目标过程中,要做出突出贡献,任务非常艰巨,要实现这一奋斗目标,2003年要努力做好6个方面的工作,在新型煤炭工业化道路上迈出更大步伐。 相似文献
8.
Zhibin Xiong Haitao Liu Chunxiang Zhu Sin J.K.O. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2005,52(12):2629-2633
In this paper, a new polysilicon CMOS self-aligned double-gate thin-film transistor (SA-DG TFT) technology is proposed and experimentally demonstrated. The self-alignment between the top- and bottom-gate is realized by a backlight exposure technique. The structure has an ultrathin channel region (300 /spl Aring/) and a thick source/drain region. Experimental results show that this technology provides excellent current saturation due to a combination of the effective reduction in the drain field and the full depletion of the ultrathin channel. Moreover, for n-channel devices, the SA-DG TFT has a 4.2 times higher on-current (V/sub gs/=20V) as compared to the conventional single-gate TFT. Whereas for the p-channel devices, the SADG TFT has a 3.6 times higher on-current (V/sub gs/=-20V) compared to the conventional single-gate device. 相似文献
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