中速柴油机机体铸造裂纹的原因分析及防止措施

根据柴油机机体裂纹产生的原因,对机体裂纹缺陷进行分析,找到了机体裂纹产生的主要原因。其主要原因可概括为铸件结构、化学成分、铸件补缩条件及开箱温度等,针对裂纹的主要原因采取相应的措施后,裂纹缺陷得到了根本的控制。     

海底电缆交叉鬼波化双检合并技术改进及应用

双检合并技术在海底电缆地震资料处理中被广泛应用,可衰减电缆鬼波的影响。传统方式以水、陆检记录的波场记录相同为假设,电缆鬼波压制效果差,合并效果并不理想。在分析交叉鬼波化双检合并技术基本原理的基础上,综合利用水检资料与陆检鬼波褶积的结果和陆检资料与水检鬼波褶积的结果求取刻度算子,同时在地震资料处理中利用陆检资料标定水检资料,从而优化了交叉鬼波化双检合并技术。实际资料处理结果表明,改进后的技术可有效衰减电缆鬼波,分离出上行波场,大幅度拓宽地震资料频带,提高地震资料分辨率,从而提供更丰富的构造细节信息。     

HP295中间裂纹产生机理分析及控制措施

通过对HP295封头冲压开裂件缺陷光电镜分析,查找到缺陷产生部位及其导致原因。对多组铸坯低倍样检查,发现中间裂纹是缺陷根源。此后,根据现场生产情况,分析钢中磷、硫含量、钢水过热度、铸机设备精度、拉速和二次冷却强度等因素对铸坯中间裂纹的影响。通过降低磷、硫,控制过热度,调整设备精度,降低拉速以及优化二次冷却等措施,HP295铸坯中间裂纹得到有效控制,用户加工开裂现象完全杜绝。     

庄河地区水资源现状浅析

本文通过对庄河地区水资源的分析及未来需水量的预测,计算其区域余水量。以确定区域经济的规划。     

垦71井区三维VSP资料波场分离方法应用研究

三维VSP资料是多偏移距VSP资料，资料中多种类型的波叠合在一起形成复杂波场。从复杂波场中分离出单一的保幅反射波波场是三维VSP波场分离的重要工作。常规二维VSP波场处理方法单一，难以适用于复杂的三维波场处理。针对三维VSP资料的波场特点，以分离上行反射P波为例，将单一波场分离方法加以适当组合，对垦71井区三维VSP实际资料进行了应用研究。结果表明，波场分离处理中叠加消去法和中值滤波相结合以及F—K滤波和中值滤波相结合的方法克服了单一方法的缺陷，波场处理后获得了波组特征明显、波场清晰单一的上行反射P波保幅波场，取得了较好的波场分离效果。     

Metalorganic chemical vapor deposition of silver thin films for future interconnects by direct liquid injection system

Deposition of Ag films by direct liquid injection-metal organic chemical vapor deposition (DLI-MOCVD) was chosen because this preparation method allows precise control of precursor flow and prevents early decomposition of the precursor as compared to the bubbler-delivery. Silver(I)-2,2-dimethyl-6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-3,5-octanedionato-triethylphosphine [Ag(fod)(PEt₃)] as the precursor for Ag CVD was studied, which is liquid at 30 °C. Ag films were grown on different substrates of SiO₂/Si and TiN/Si. Argon and nitrogen/hydrogen carrier gas was used in a cold wall reactor at a pressure of 50–500 Pa with deposition temperature ranging between 220 °C and 350 °C. Ag films deposited on a TiN/Si diffusion barrier layer have favorable properties over films deposited on SiO₂/Si substrate. At lower temperature (220 °C), film growth is essentially reaction-limited on SiO₂ substrate. Significant dependence of the surface morphology on the deposition conditions exists in our experiments. According to XPS analysis pure Ag films are deposited by DLI-MOCVD at 250 °C by using argon as carrier gas.