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采用溶液共混法将笼形纳米粒子甲基丙烯酸甲酯基多面低聚倍半硅氧烷(MMA-POSS)与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)共混制备无机/有机纳米复合材料。利用傅里叶红外光谱仪、核磁共振波谱仪和场发射扫描电子显微镜对材料进行了结构表征。场发射扫描电子显微镜观察复合物薄膜表面形态显示,当MMA-POSS含量较小时,薄膜表面均匀平整,MMA-POSS均匀地分散于PMMA基体中,复合材料的热稳定性和力学性能得到明显改善,其玻璃化转变温度(Tg)和热分解温度(Td)显著提高,POSS含量为1.0 %(质量分数,下同)时,Tg 和Td分别提高了16.9 ℃和21.0 ℃。 相似文献
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采用微波超声法,以ZnO为基体原位生长CeO2晶体,得到CeO2/ZnO复合光催化剂。利用XRD、SEM、TEM、PL、UV-Vis DRS等方法对制备的材料进行表征,并通过可见光降解AF对样品的光催化性能进行评价。结果表明,ZnO为纳米片互相穿插形成的花形球状结构,其表面附着有纳米CeO2颗粒,分散性较好。ZnO和CeO2的摩尔比为20∶1的CeO2/ZnO复合光催化剂在可见光下表现出良好的光催化活性,光照90 min后对AF的光降解率达到96.44%,较纯相ZnO和CeO2有显著提高。CeO2/ZnO的稳定性较好,6次使用后对AF的光降解率仍达到93.53%。机制研究发现,·O2?是光催化降解AF过程中的主要活性物种。 相似文献
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将自制层状石墨相氮化碳(g-C3N4)和WO3纳米片均匀混合,经煅烧制备WO3/g-C3N4复合半导体。利用XRD、SEM、TEM、UV-Vis DRS和PL对其进行表征。结果表明,g-C3N4呈现类石墨烯状片层结构,WO3为纳米片状结构,且分散在g-C3N4表面;与WO3复合后,UV-Vis吸收边发生了红移,拓宽了g-C3N4对可见光的响应。以罗丹明B(RhB)为模拟污染物,考察WO3/g-C3N4的光催化降解性能。WO3/g-C3N4质量比为1∶5时,表现出最佳的光催化活性,可见光照60 min后,RhB降解率可达到94.9%。光催化剂具有良好的稳定性,重复使用6次后,RhB的降解率依然达到88.9%。光催化机制研究表明,超氧自由基(·O2?)是光催化降解RhB的主要活性物种。 相似文献
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POSS基有机-无机杂化高分子的制备及低介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
利用硅氢加成反应技术,以多面低聚倍半硅氧烷T8H8和二(对烯丙氧基苯甲酸)丁二醇酯为单体合成了有机.无机杂化交联聚合物。用FTIR和^29Si NMR等对材料进行了结构表征,结果表明,在聚合物中两种单体以化学键相连,无机与有机相均匀分散,T8H8分子中平均有6.3个Si-H键与C=C双键发生了加成反应,得到了三维网络聚合物。TGA分析结果表明,聚合物具有较高的热稳定性,热分解温度为376℃。Ellipsometer测试结果表明,聚合物薄膜具有较低的介电常数,k值为2.4。薄膜表面经三甲基氯硅烷疏水处理后,k值减小为2.2。 相似文献
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