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离子束轰击对电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜.通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律.结果表明沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm·s-1时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa.用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力.二氧化钛薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素. 相似文献
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软件系统日趋大型化和复杂化使得软件系统的结构可以用复杂网络来表示,研究表明,大规模软件系统结构表现出复杂网络的各项特征如小世界效应和无标度特性等,复杂网络成为理解软件系统结构和演化的重要方法之一.本文定义了一种针对Java程序的网络拓扑图,为JDK构造复杂网络,并统计其度分布标度指数、平均距离、平均簇系数等网络特征.同时研究这些特征随JDK版本的变化,提出了一个基于模块的演化模型,并对JDK的版本演化进行模拟.实验结果表明JDK具有复杂网络的各项特征,是一个复杂网络,并且与一般复杂网络的演化模型不同,其演化模型具有软件系统的特征--模块化,能与软件系统演化的实际相符合. 相似文献
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一维光子晶体缺陷模的光谱特性与缺陷模的结构紧密相关.当缺陷模中包含有多个缺陷时,将导致光子禁带中出现多个分立的缺陷能级,形成多个透射光通道.利用一维光子晶体缺陷模这一光谱特性设计了红外谱段的三通道光子晶体器件. 相似文献
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离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在硅基底上用电子束蒸发方法制备了硫化锌薄膜.通过XRD和薄膜应力测试仪研究了离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响规律.结果表明,未采用离子辅助技术制备的硫化锌薄膜为压应力,平均应力值为110.6 MPa,当采用离子束辅助工艺时硫化锌薄膜的压应力增加了62.3MPa.真空退火使硫化锌薄膜的平均应力大约降低了二分之一.硫化锌薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素. 相似文献
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掺杂SB2O3/Au对MoS2 溅射膜抗氧化性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
利用X射线光电子谱仪(XPS)对MoS2溅射膜掺杂Sb2O3/Au的抗氧化性能进行了研究。结果表明,Sb2O3/Au使得MoS2溅射膜的结构9变得更为致密,同时还改变了MoSx的化学计量配比,增强了MoS2溅射膜的抗氧化性能,通过掺杂的MoS2溅射膜的初始氧化以及在潮湿环境中的氧化只发生在膜表面的2~3个分子层,使得内层被保护得相当好,掺杂是解决MoS2溅射膜气氧化问题的一种行之有效的方法。 相似文献
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