一种动态开关电容运算放大器共模负反馈电路

本文主要介绍了一种应用于Cascode结构运放中的开关电容共模负反馈电路，它具有稳定性好、对运放频率特性影响小、不消耗额外功率等优点。对电路运用Hspice进行了模拟，并给出了模拟结果。     

CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究

闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。     

零翻转编码地址总线SoC低功耗设计

本文分析了SoC设计中大电容负载的地址总线低功耗设计方法。利用地址总线零翻转编码和解码技术，有效地减少了SoC地址总线活动，降低了SoC芯片和系统的功耗。同时，应用于实际的SoC设计中，验证了它的功能和适用范围。     

基于形态学滤波和小角度边缘搜索的运动自适应去隔行

为实现隔行扫描到逐行扫描的视频格式转换,提出了一种运动自适应的去隔行算法,主要包括运动估计、运动向量的形态学滤波、小角度边缘搜索、时空插值权重自适应插值等。该算法通过同极性场的像素块绝对值差和(SAD)与运动阈值的比较实现运动估计,并对运动向量进行形态学滤波处理,消除噪声影响。在小角度边缘搜索中采用自适应搜索半径和并行搜索树的策略实现最小6°的检测精度。最后,通过时空权重自适应的插值算法实现去隔行处理,取得了很好的处理效果。     

一种用于单相Boost型PFC中的数字预测算法

本文提出了用于数字控制PFC中的一种新颖的数字控制算法,称为预测算法。它可以得到较高的PF值,并且随着输入电压或者负载电流的变化有近似最快的动态响应。对于一个确定的系统,预测算法根据系统当前的状态参数,可以估算出输出电压和电感电流在下一个开关周期的变化趋势,并且得到一组完美跟踪输入电压轨迹最优的控制序列。在多种仿真条件下的仿真结果证实了预测算法的有效性。当输入电压从90V到265V,负载电流从20%~100%范围变化时,PF值都大于0.998。启动时间和恢复时间分别约为0.1s和0.02s,且无超调。实验结果也验证了设计的有效性。     

基于数学形态学的运动估计及VLSI设计

提出的基于数学形态学的运动估计算法,采用四场的SAD比较进行运动估计,并且对运动向量进行数学形态学滤波处理(先进行腐蚀,再进行扩散处理),削弱噪声影响,提高运动估计的精度.在VLSI实现中采用外挂SDRAM作为帧存储器,存储前两场图像数据和运动信息.本算法和VLSI设计经过FPGA验证,取得了很好的效果,并且已经被成功地应用于基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺的数字视频处理芯片中.     

500 V体硅N-LDMOS器件研究

借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。     

射频电路的单片集成¹

射频电路是无线通讯中的一个关键部分,其性能的好坏将直接影响到整个系统的性能,本文介绍了用CMOS工艺实现射频电路单片集成的可能性,难点,目前的情况和前景以及最终实现射频IP（Intellectual Property)的意义。并提出了一条适合国内发展射频电路集成的途径。     

RF 集成电路工艺探讨¹

射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间，本文介绍了当今RF的主流工艺，并分别对基于硅的深亚微米CMOS工艺在RF设计中的可行性和困难进行了研究，评述了其中存在的问题，最后提出了该领域中未来的发展前景。     

一种新型偏置栅MOS 管漂移区表面电压 和电场的分析模型

本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型，借助数学推导得到该模型的计算方程，通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系，同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法。