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由于光纤通信的迅猛发展,在七十年代出现了许多不同结构形式的发光二极管,以实现各类传输系统对光源的高效率、长寿命与好的频响特性的要求.1975年由RCA实验室研制成功的"限束"边发光二极管就是其中之一.这种结构把发光区集中在边部,克服了有源区严重的自吸收,提高了功率效率.因为工作区的三面与半导体材料相毗连,散热较好,所以LED的光输出对温度相当不敏感.同时这种结构制造简单,特别是与需在N面腐蚀出光孔的面发光二极管相比尤为简单.我们研究了这种"限束"结构的发光器件并且作了适当的改进.首先把电极条宽的尺寸从100微米缩小为50微米,以求与芯径为50微米和数值孔径为0.2 相似文献
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采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管壳对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装，并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性和瞬态特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少了约０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。 相似文献
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PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型 总被引：1，自引：0，他引：1
研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性，建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明，器件表面和内部的缺陷及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用，当反向偏压大于0.35V，缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用。 相似文献
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用液相外延技术生长GaAs-Ga_(1-X)Al_XAs双异质结材料,并制成小面积高辐射度发光二极管。辐射度高达100w/sr·cm~2以上,尾纤(芯径60μm,N.A.=0.17)输出功率最高达200μW,外推工作寿命10~5小时。已用于1.8公里,8.448Mb/S,PCM-120路光纤电话通信系统。对器件的工作特性进行了分析,讨论了影响因素及改进途径。 相似文献
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本文叙述了n-GaAs/AuGeNi和P-GaAs/Au-Zn的比接触电阻随合金温度的变化规律,研究了热处理气氛(H_2或N_2气氛中)对合金表面形貌的影响。结果表明:n-GaAs/AuGeNi和n-GaAs/AuGeNi/Au具有相同的比接触电阻。当热处理在N_2气流中进行时,合金的表面形貌呈细粒状。在P-GaAs/Au-Zn中,比接触电阻随合金化温度的增加而缓慢地降低。当合金温度为550℃时,合金的表面形貌呈现明显的缩球。这一方法已应用到GaAs-GaAlAs双异质结发光两极管的制备工艺中,并制得了串联电阻为1-2Ω的器件。本文讨论了接触金属与GaAs在热处理过程中的相互作用问题。 相似文献
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引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH
4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析. 相似文献
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简单介绍了单层抗反膜的增透原理，并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明：生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30％；同时通过对GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明：蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60．28％，远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48．91％和40．04％，说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜，使器件性能有所提高。 相似文献
