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过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O_2/SF_6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O_2/SF_6气体比例对速率影响小,O_2含量越高,均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7Pa,偏置射频功率减小到30kW,源极功率增加到30kW,O_2/SF_6气体保持比例1∶1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750nm/s,均一性达到10%,腐蚀发生率为10%~0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。 相似文献
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在挠曲电效应的基础上,研究了光照对ADS模式TFT-LCD Flicker漂移的影响。首先研究了正常点灯下Flicker漂移情况,然后测试了不加背光和降低背光亮度下的Flicker漂移,最后研究了光照panel一段时间后Flicker漂移情况。实验结果表明,光照使Cell盒内产生了离子,驱动信号电压存在时液晶发生极化,产生的"力"吸附离子,从而形成了直流偏压,产生了Flicker漂移。降低光照强度Flicker漂移程度减弱。利用该结果在一定程度上对显示器整体设计和品质的改善有重要指导意义。 相似文献
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长期存放条件下TFT阵列基板栅金属线腐蚀原因分析 总被引:3,自引:2,他引:1
在TFT-LCD制造和存放过程中,存在着电化学腐蚀的环境,由于腐蚀速度相对较慢,所以对此现象的认识和研究不足。本文通过实例分析,研究了栅金属电极线在大气环境下的腐蚀现象和机理,并提出了降低腐蚀的措施。 相似文献
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线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出,然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值,最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比,同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明:公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性;信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系;信号线与公共电极线的单位交叠面积从66μm~2降到37μm~2时,其公共电极电压畸变程度降低了63%;增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像,当距离从1.49μm增大到2.39μm时,公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平,对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。 相似文献
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通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究,考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明,通过减小驱动信号线电压,或提高驱动信号的反转频率,均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰阶电压由L255减小为L46,耦合电压幅值由240mV降为34.8mV;当驱动信号方式由帧反转变为点反转时,耦合电压幅值由112.6mV降为63.1mV,有效地改善了线残像,并利用德拜弛豫公式分析了驱动信号反转对线残像的作用机理,为线残像的分析和改善提供了理论依据和解决方向。 相似文献
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影响ADS面板闪烁漂移的因素研究 总被引:2,自引:2,他引:0
挠曲电效应(Flexoelectric Effect)是指液晶分子在外电场的作用下,由于展曲/弯曲形变而导致的液晶分子自极化,并表现出宏观电偶极矩的现象。ADS模式液晶显示面板在开机工作初,由于挠曲电效应从而产生闪烁漂移(Flicker Shift)的现象。本文从挠曲电效应的产生机理出发,结合试验结果,讨论了灰阶电压大小及灰阶电压对称性对闪烁漂移程度、速率的影响;当闪烁漂移达到稳定后,面板的实际公共电极电压(Vcom)偏移程度变化。结果发现,随着灰阶电压的升高,闪烁漂移程度会随着挠曲电效应的增强而加重,面板内Vcom电压偏移量也随之增加,而改变灰阶电压的对称性可在一定程度上增强或抵消自极化效应带来的Flicker漂移和Vcom电压偏移。利用该结果可一定程度上改善面板的显示特性。 相似文献
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随着高分辨率TFT-LCD HADS产品的开发,一种与像素ITO图形密切相关、有明暗(黑白)亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发。经过对不良产品的参数测量和模拟分析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像素电极ITO(1ITO)图形和公共电极ITO(2ITO)图形发生了不同程度的相对偏移,电场分布存在差异,因此亮度发生明显差异;而且由于图形间的相对偏移导致电极间的电场发生偏移,形成像素左右两侧的一侧为强电场,一侧为弱电场,因而会出现从一侧观察发亮而从另一侧观察发暗、左右视角观察的黑白反转现象。Mura区与相邻OK区1ITO?2ITO对位差异为0.5μm。通过1ITO和2ITO的线宽设计优化,可提高产品对此偏移不均一的容忍度。最终采用最佳1ITO、2ITO线宽条件生产,配合1ITO和2ITO共用设备及TP非线性补正等条件并举,此不良由高发时的14.2%降至0.2%以下。本文研究成果对于高分辨率HADS产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。 相似文献