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1.
静电感应晶闸管(SITH)的理论分析(续) 总被引:1,自引:0,他引:1
静电感应晶闸管(SITH)的理论分析(续)兰州大学(兰州730001)李思渊,刘瑞喜,刘肃,杨建红,李成3沟道电势的解析理论3.1 模型SITH的开通与关断,从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此,对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。... 相似文献
2.
3.
The negative electric effects of La metal at the Si-SiO_2 interface and the heat treatment behaviorof these effects are studied experimentally.In addition.the results of electron spectroscopy analysisof the La-doped interfaces are also presented. 相似文献
4.
从理论和实验两方面对静电感应晶体管(BSIT)的开关时间进行了分析和测量,提出了简单的分析方法,将影响BSIT开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子,从而简化了分析影响BSIT开关时间的因素,对于BSIT的实际工艺,结构设计有指导意义。 相似文献
5.
采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据,与常规VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能.对研制的200V VDMNOSFET,在栅偏压+10V,γ总剂量为1Mrad(Si)时,其阈值电压仅漂移了-0.5V,跨导下降了10%.在γ瞬态剂量率达1×1012rad(Si)/s时,器件未发生烧毁失效.实验结果证明Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区显著地改善了功率MOS器件的抗电离辐射及抗辐射烧毁能力. 相似文献
6.
7.
实验表明,SiO_2/Si体系扩金以后,其MOS结构的C-V曲线,明显的向正压方向平行移动,显示了扩金引入的负电荷效应。变化的一般情况如图1所示。为了观察该效应随热处理条件的变化,进而取得对其作用机制的认识,我们在不同气氛(氮、氢、氯)不同温度和不同时间下,对金界面电荷的变化进行了实验考察。 一、实验 MOS电容器样品是由电阻率为9.1~13Ω·cm的直拉P型Si单晶制成的。位错密度不超过300/cm~2。垂直于<111>且向<110>偏3°切片。 相似文献
8.
<正> 继钆(Gd)、钯(Pd)之后,我们在实验上又观察到铑(Rh)是另一类具有特殊界面效应的金属杂质.首先,掺Rh样片的高频和准静态C-V曲线均相对于无Rh控制样片发生了明显的沿正压方向的平移.说明所引入的Rh在硅中的扩散很快,在所用条件下已经到达Si/SiO_2界面并与该处的正电性缺陷中心(D)发生了互作用致使界面有效正电荷密度减小.其次,掺Rh后的C-V曲线,无论高频或准静态,均较无Rh控制片略低.这一点与掺Au后的曲线相反,而与掺Gd、Pd的情况类似,没有出现补偿作用引起串联电阻升高,使掺Au片C-V曲线“压扁”那样的现象. 相似文献
9.
(一)引言 除金(Au)以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯(Pd)、钆(Gd)、铑(Rh)等在si/SiO_2界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧(La)也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 (二)实验 MOS样品是在电阻率为8—12Ωcm的<111>P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO_2胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300μm。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表面生成厚度约为1200的SiO_2薄膜。去除Si片背面的SiO_2后,在干氮下,从背面扩入La,进而在不同条件(温度、时间、气氛等)下,对 相似文献
10.