薄GaAs层化学腐蚀及它的表面结构

用pH=7±O.05的H_2O_2-NH_4OH溶液,在5±1℃,对晶句是(100)的高阻或浓度为2×10~(13)cm~(-3)的n型GaAs衬底进行腐蚀试验.发现腐蚀速率不但与搅拌有关,且在最初半分钟左右或开始250～500(?)的GaAs腐蚀,其腐蚀速率比更长时问或更深腐蚀时要快得多.分析表明,NH_4OH向GaAs与溶体界面的扩散很可能是腐蚀过程的限制步骤.对腐蚀后的残余氧化层进行测试分析,认为化学腐蚀后在表面有一层极薄的氧化物层,接着是过渡层.用HCI或NH_4OH水溶液清洗则可去除氧化物层并缩小过渡层.     

激光椭偏仪多角入射法测定磁性石榴石薄膜的厚度和折射率

本文叙述了椭偏仪在测量磁性单晶薄膜的光学常数和厚度中的应用。采用“多角入射法”,在波长6328(?),直接判别膜厚周期 D(?)的正整数倍 m(?),从而计算出2(?)>360°时外延膜的真空厚度.在入射角为75.0°时,我们测量了上述薄膜的厚度和折射率的重复误差。     

钇铁石榴石单晶薄膜的生长及特性

用液相外延法生长钇铁石榴石单晶薄膜,研究了外延工艺对膜的生长速率和性能的影响,膜厚重复性达±5%,并通过调节生长温度来控制膜中Pb和Pt的含量,使Pb~(2+)和Pt~(4+)离子达到电荷补偿,得到最佳的铁磁共振线宽(△H)为0.70e,这种薄膜已被做成微波器件。     

X射线能谱仪在薄膜器件刻蚀中的应用

Ｘ射线能谱仪在薄膜器件刻蚀中的应用唐圣明，徐梅娣，陈思琴，林绥娟（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）铝钛酸铅［Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ＿３，简称ＰＺＴ］是一种新型的铁电薄膜材料，具有独特的电学，光学性能，有很广泛的应用价值。ＰＺＴ薄膜与器件的制...     

二次锂离子电池的正极材料LiMn2O4的制备和性能研究

叙述尖晶石型LiMn2 O4正极材料的高温固相制备方法 ,分析合成条件对其性能的影响 ,通过XRD、SEM、ICP等方法 ,研究合成材料的结构、组分及电化学性能。     

溅射PZT薄膜的晶体结构和快速热处理

采用常温射频（ＲＦ）溅射法和快速热处理相结合的技术，在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上，制备出具有铁电性的ＰＺＴ薄膜。研究了快速热处理工艺条件对ＰＺＴ薄膜性能的影响。通过Ｚ射线衍射法、ＳＥＭ和ＡＥＳ等方法，分析了ＰＺＴ薄膜的晶体结构、微结构、薄膜和电极间的界面效应。     

GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定

用椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪(AES)和X-光电子谱仪(XPS)等对经pH=7±0.05的H_2O_2-NH_40H溶液化学腐蚀或用NH_4OH:H_20=1:10和HCl:H_2O=1:1进行清洗后的GaAs表面残余氧化层厚度、折射率、纵向组分分布和Ga(3d)与As(3d)结合能变化等进行测定.三者实验结果对应很好.化学腐蚀后的GaAs表面有一层氧化物层,然后是氧化物与GaAs混合的过渡层,直至GaAs衬底.从NH_4OH:H_2O=1:10清洗后GaAs表面残余氧化层厚度,表面C吸附量和Ga/As的波动看,它均比用HCl:H_2O=1:1清洗为优,故用它作为GaAs在化学腐蚀后的清洗是可取的.     

溅射PZT薄膜的晶体结构和快速热处理

采用常温射频（RF）溅射法和快速热处理相结合的技术，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上，制备出具有铁电性的PZT薄膜。研究了快速热处理工艺条件对PZT薄膜性能的影响。通过X射线衍射法、SEM和AES等方法，分析了PZT薄膜的晶体结构、微结构、薄膜和电极间的界面效应。     

磁记录用磁阻头

概述了磁阻头的工作原理、结构性能以及发展状况。