THE RATE OF REDUCTION OF TITANIFEROUS MAGNETITE

用CO和H_2为还原剂研究了钛磁铁矿原矿,烧結矿和球团矿的还原性。实驗表明,球团矿能改善钛磁鉄矿的还原性。对还原机理和速率的初步探討指出,該类矿石的还原系受表面反应控制。还原反应为一級反应,其視激活能在590℃以上对CO为14,600卡/克分子;对H_2为14,000卡/克分子;在590℃以下,对CO为16,000卡/克分子。     

THE SOLUBILITY OF Ti AND C IN Fe-Ti-C AND Fe-Si-Ti-C MELTS

本文报告了CO气氛下,Fe-Ti-C及Fe-Si-Ti-C(si 1%)熔体中Ti与C溶解度的测定结果,并从TiC饱和吋的溶解度数据算出在C与TiC饱和及无C时铁液中Ti的活度系数.试验结果指出,不同温度下TiC与C饱和的铁液中Ti的浓度分别为:0.78%(1425℃),1.04%(1509℃)及1.47%(1590℃).铁液中含有1%的si并不显著影响Ti的溶解度.     

AgCl-CeCl_3-KCl和CeCl_3-KCl熔体的热力学性质

本文成功地将Darken法,即从三元系的热力学性质计算二元系活度的方法,应用于熔盐体系,克服了因金属与熔盐发生相互作用而造成的困难。作为第一个例子,文中在待测的二元系中加入电位较正和稳定的第三氯化物,利用Ag|AgCl可逆电极测定了Ag在AgCl-CeCl_3-KCl三元系熔体的电动势,从而得出了AgCl-CeCl_3-KCl(N_(CeCl_3):N_(KCl)≈2:1或1:2),AgCl-CeCl_3以及AgCl-KCl体系中AgCl的活度。根据AgCl-CeCl_3-KCl体系的等ΔF~E图和该三元系中CeCl_3的等活度图,用Darken法算得CeCl_3-KCl二元系的活度和热力学性质。所得结果与文献的实测值相近,也显示一定的负偏差。     

基于符号零压缩二叉决策图的装配可行性判定方法

为了扩大装配序列规划的求解规模并提高求解效率,提升装配自动化水平,给出了装配体联接矩阵和干涉矩阵的零压缩二叉决策图描述,建立了基于符号零压缩二叉决策图的装配操作可行性判定方法。基于该方法,可以高效地求解出一个装配体的可行装配操作。结合实例验证了基于符号零压缩二叉决策图的装配体模型和可行装配操作判定方法的正确性和可行性。     

基于影像匹配的点云模型重建技术对比

当前基于倾斜影像密集匹配生成的点云包含丰富的颜色及纹理信息,但是缺乏针对影像密集匹配点云密度、精度等信息进行分析的相关文献,本文通过ContextCapture、COLMAP、COLMAP+OpenMVG、OpenMvg+OpenMVS四种不同方式对倾斜摄影影像进行匹配得到密集点云,分析了不同方式的适用条件以及成果影像匹配点云的差异,最后比选出最佳技术方法,期望为同行提供参考。     

辊压法烟草薄片增强用醚化改性木质纤维的研究

本研究首先通过设计正交实验研究了醚化工艺参数对木质纤维羧基含量的影响;其次探究了羧基含量对纤维形貌、结晶结构、保水值及其在烟草薄片中分散性的影响;最后比较了不同羧基含量的纤维对辊压法烟草薄片的增强效果.结果表明,在实验室条件下,3个工艺参数对纤维羧基含量影响顺序为:反应药品浓度＞浆浓＞反应时间.羧基含量与反应药品浓度成...     

强帮强角应用于沿空留巷支护的相似模型试验研究

为研究沿空留巷变形破坏机制并验证强帮强角支护技术在沿空留巷中应用的有效性,以中兴矿沿空留巷为原型进行相似模拟和工业试验.依据相似理论确定模型试验的相似比,分别采用常规支护和强帮强角支护建立巷道模型,设计合理的测试系统、加载路径,对比2种方案的巷道破坏形态、围岩应力及位移,研究沿空留巷变形破坏机制;并将相似模拟试验结果应...     

基于区间分析的参数不确定系统PID鲁棒控制器设计

针对区间对象PID鲁棒控制器设计问题,提出了一种基于广义Kharitonov定理和区间分析集逆算法的设计方法。该方法根据广义Kharitonov定理将区间对象的鲁棒稳定控制器综合问题转化为多个顶点对象同时稳定的控制器综合问题,根据劳斯判据得到与控制器参数相关的不等式组,采用基于区间分析的集逆算法求解该不等式组得到PID鲁棒控制器参数。数值算例表明所提出的设计方法可以以任意设定精确度逼近使得整个区间对象族稳定的PID控制器参数域,与传统图解法相比求得的结果是可靠的,同时该方法能够根据集逆算法解集情况准确判断假定的控制器是否可行。     

化合物半导体光电化学新进展

半导体光电化学已广泛用于化合物半导体的材料测试和器件工艺。本文总结了光电化学这一研究技术的最新进展;叙述了利用液结肖特基势垒的许多测定化合物半导体体内和表面特性的方法,列举了用这些方法测得的平带电势、禁带宽度、少子扩散长度、载流子浓度、多元化合物组分分布、晶体完整性、深能极、表面态、能带结构和复合特性等;也介绍了半导体光电化学的一些新兴领域,如辐射电化学、照相电化学和激光电化学等,强调了它们在新型器件工艺中的应用。     

砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备

本文介绍了Ga-AsCl_3-H_2体系,研究了气相外延时硫的掺杂行为,讨论了硫的掺杂机理和生长了亚微米薄层。制得的亚微米外延层的质量表明,表面形貌良好,缺陷少,重复性好。典型的电学性质为:当厚度≤0.4μm和浓度为1—2×10~(17)/cm~3时,击穿电压V_B=7—10V。在单层和多层外延结构中,界面浓度基本是突变的,过渡区约0.1μm。这些外延片已用于制备变容管和远红外探测器等。