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采用传统固相法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Ni2/3W1/3)x(Zr0.495Ti0.505)0.95-xO3(PMS-xPNW-(0.95-x)PZT)四元系压电陶瓷,研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成、微观结构、机电性能、温度稳定性的影响.结果表明随着NiW量的增加,物相中四方相含量逐渐减少,三方相含量逐渐增大;适量的掺杂使PMSZT频移变小;机电耦合系数Kp,K31的温度稳定性得到改善;并且提高了体系的机电性能. 相似文献
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氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻—温度曲线之影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻-温度曲线之影响,实验表明,除NB外TiN、Si3N4、AlN也可以给出较平坦的电阻极大值,在适当的工艺条件下没有氮化物添加同样可以得到类似结果。 相似文献
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研究了前驱体合成(又称铌铁矿合成)与传统的氧化物混合合成,对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷性能的影响。结果表明,前驱体合成工艺能够在合成过程中避免焦绿石相的生成。并且相比较于氧化物混合合成的工艺,它能使得压电陶瓷的压电常数d33由475 pC/N提高到530 pC/N,机械品质因数Qm从96提高到185,介质损耗tanδ也从0.020降低到0.009。综合实验分析结果得出前驱体合成方法是一种更加优异的合成方法。 相似文献
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铋层状化合物Sr0.3Ba0.7Bi4-xLaxTi4O15陶瓷材料的介电性能 总被引:7,自引:3,他引:7
采用固相烧结工艺制备了铋层状化合物Sr0.3Ba0.7Bi4-xLaxTi4O15铁电陶瓷。X射线衍射证实:La含量很大的范围内(x=0~1)均形成了层状钙钛矿结构固熔体。Sr0.3Ba0.7Bi3.25La0.75Ti4O15粉料在低温下难以烧结,随着烧结温度的提高,Sr0.3Ba0.7Bi4-xLaxTi4O15陶瓷密度增加的同时,产生焦绿石相,但La的加入在一定程度上抑制焦绿石相的形成.Sr0.3Ba0.7Bi4-xLaxTi4O15陶瓷的介电常数峰在10kHz时较宽,在100Hz时,介电常数峰被随温度升高而逐渐增大的介电常数所“屏蔽”,材料损耗角正切随温度升高而增大,在低频下增加得更快。 相似文献
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锆钛酸铅/高分子复合膜的吸声特性 总被引:22,自引:0,他引:22
以锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷微粒为填料,分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得PZT/高分子(PZT/P)复合膜,用驻这法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性,实验结果表明,在声频375-2000HZ范围内,在聚合物中入PZT微粒并使其极化产生压电必珂使其吸声性能增加,动态粘弹实验结果表明,压电阻尼效应取决于产生的电荷能否及时被消耗。 相似文献
6.
由Nb5+,Sb3+置换锆钛酸铅的B位离子,制备了用作大功率水声换能器材料的铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷.采用固相法合成了0.02Pb(Sb1/2Nb1/2)O3-0.98PbZr1-xTixO3(x=0.44~0.49)粉体.通过X射线衍射及扫描电镜分析.研究了不同锆钛比和烧结温度对陶瓷的相组成、显微结构和介电、压电性能的影响.结果表明:当合成温度为900℃时,获得的粉体的主晶相为钙钛矿结构.当Zr/Ti摩尔比为51/47,烧结温度为1230℃时,各项性能达到最佳值,介电常数ε T 32/ε0为1945,介电损耗tanδ为0.019,压电常数d33为425pC/N,机电耦合系数Kp为0.65,Curie温度θc为352℃.铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷的烧结温度范围宽,具有较强的工艺操作性且θc高. 相似文献
7.
通过二次合成工艺制备了0.25 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.15Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-zPbZrO3-wPbTiO3四元系压电陶瓷,其中w/z=1.6~1.65.研究了合成温度、烧结温度和极化等制备工艺对材料结构和性能的影响.结果表明:在合成温度为1050℃/860℃,烧结温度为1180℃,极化场强为5000V/mm时,材料具有良好的综合性能,其各项主要参数为:d33=(610~633)pC/N,Tc=234~235℃,εT33/ε0=3950~4015,Qm=81,Kp=0.63~0.66,tanδ=(1.7~2.0)%. 相似文献
8.
探讨Nb2O5掺杂对Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x4O3(x=7%,0<y<1)(简称PLZT)压电陶瓷性能影响.通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb1-xLax(ZryTi1-=y)1-x/4O3 0.5%NbzOs陶瓷的相组成和显微结构.结果表明合成温度1060℃时,可以得到钙钛矿结构.随着Nb2O5掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同型相界向三方相移动.掺杂NbzO5的质量分数为0.5%,Zr/Ti=57.5/42.5时,得到的压电陶瓷介电、压电性能最优,εT33/ε0=3100,tan6=1.96%,d33=550PC/N,Kp=0.67. 相似文献
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合成工艺对五元系压电陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
固相法合成0.03PZN-0.03PSN-0.04PMS-0.09PZT五元系压电陶瓷,锆钛比为变量。研究了一、二次合成工艺对压电性能的影响。当采用一次合成工艺时,系统准同型相界在Zr/Ti为0.445/0.455~0.44/0.46附近;采用二次合成工艺后,系统的准同型相界向富Zr的方向发生了移动。采用二次合成工艺比一次合成工艺效果好,在烧结温度为1 260℃,Zr/Ti=0.435/0.465时,性能最好,其介电损耗tanδ=0.30%;rTε3=1 143;d33=303 pC/N;Qm=1 233;kp=55.1%;TC=309℃。二次合成使d33、kp、rTε3及矫顽场强Ec和剩余极化强度Pr都要比一次合成的试样的高。 相似文献