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本文探讨了一种新的激波-非定常边界层相互干扰现象,这种激波-边界层干扰现象既不同于定常激波-边界层干扰现象,又不同于激波在端面反射后与该激波所诱导的边界层之间的干扰现象,而是运动激波与稀疏波和第一激波所诱导的非这常边界层之间的干扰现象,本文对这种现象用微波动力学理论进行分析,并把这种干扰现象看成激波的绕射现象,同时在稀疏波破膜的双驱动激波管中进行实验观察,最后把理论分析与实验观察进行了比较。 相似文献
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双驱动激波管稀疏波破膜技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了在双驱动激波管中运用稀疏波破膜的技术。在以压缩空气和氮气作实验气体的情形下,实验研究了中间段长度、稀疏波强度及中间段B膜的破膜压力(压差)对第二激波追韩第一激波的影响。实验结果表明:中间段的长短,显著地制约着前后两道激波的间隔;稀疏波强度及中间段B膜的破膜压力对稀疏波破膜时间及第二激小对反射稀疏波的追赶有重要影响。 相似文献
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随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高, SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块. SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而,其瞬态电荷收集引起的空间单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.本文基于SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器开展了单粒子效应激光微束实验,并定位了激光单粒子效应敏感区域.实验结果表明, SiGe HBT瞬态电荷收集是引起SiGe BiCMOS LNA单粒子效应的主要原因. TCAD模拟表明,离子在CMOS区域入射时,电离径迹会越过深沟槽隔离结构,进入SiGe HBT区域产生电子空穴对并引起瞬态电荷收集. ADS电路模拟分析表明,单粒子脉冲瞬态电压在越过第1级与第2级之间的电容时,瞬态电压峰值骤降,这表明电容在传递单粒子效应产生的瞬态脉冲过程中起着重要作用.本文实验和模拟工作为SiGe BiCMOS LNA单粒子效应抗辐射设计加固提供了技术支持. 相似文献
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