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用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2. 采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构. 结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.
关键词:
磁控溅射
二硫化铁
X射线吸收近边结构
电子结构 相似文献
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用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV. 相似文献
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不同的光电子能谱仪有不同的探测面积和接收角度,在所探测范围内实验光源的单位面积强度直接决定了实验计数率的高低, 因此了解所用能谱仪在什么样大小的光源尺寸下实验以获得最佳的实验条件就显得很为重要. 本文分析了北京同步辐射实验室光电子能谱仪在4B9B光束线所提供的光源下对能谱仪测试的实验结果,从现在所用的光源尺寸大小上讨论了以往实验计数及分辨能力不很理想的原因,提出了在现有能量分析器条件下4B9B光束线的光源尺寸要求.从而进一步确定了光束线的高能分支增加后聚焦镜以改善聚焦的改进方案,同时对束线的低能分支也作了相应的改进设计. 相似文献
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通过动态保压注射成型方法制备了聚酰胺1010/聚丙烯(PA1010/PP)共混物,并研究了形态与性能的关系.力学性能测试结果表明在熔体冷却过程中施加剪切可以大大提高共混物的拉伸强度、拉伸模量和缺口冲击强度,当PP的质量分数为20%时,共混物的缺口冲击强度达到21.3kJ/m2,是静态样的3倍多,拉伸强度达到50.9MPa,是静态样的1.5倍.扫描电镜(SEM)结果表明在动态保压样的横断面可以观察到剪切诱导的形态,中间是芯层,围绕着芯层的是剪切层,最外面是皮层,相区尺寸显著减小、分散相分散更趋均匀,特别是PP的质量分数为20%时,相区尺寸从原来的约3.9μm降低到约1.4μm.动态保压样机械性能的提高归因于剪切作用下独特相形态的形成,分子链沿流动方向的取向是拉伸强度提高的主要原因,而剪切使分散相颗粒变小和剪切层中分子链的取向是冲击强度提高的主要原因. 相似文献
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在超高真空系统中制备了Yb275C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb275C60价带(C60分子轨道LUMO,HOMO和HOMO 1导出的能带)和芯态(Yb 4f7/2,4f5/2)能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子,用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律,通过定量拟合,得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明,光子能量高于约300 eV时,芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此,研究Yb275C60价态时,应使用能量低于300 eV的光子.对实验和拟合结果分析,发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小,反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用.
关键词:
Yb275C60
同步辐射光电子能谱
光电离截面振荡 相似文献
7.
用紫外光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sm掺杂C60薄膜的价带电子结构.Sm的价电子大部分转移给C60,化学键以离子性为主.对于任何化学配比都没有观察到费米边,所以Sm富勒烯超导相在室温下为半导体性质.获得了很接近单相Sm2.75C60的样品在费米能级附近的电子态密度分布.固溶相的光电子发射与Sm2.75C60有明显区别.SmxC60关键词:
60的Sm填隙化合物')" href="#">C60的Sm填隙化合物
价带光电子能谱
电子结构 相似文献
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利用同步辐射角分辨光电子能谱研究了分子束外延生长的Co/Cu(111)超薄膜电子结构的变化.Cu(111)的位于表面布里渊区Γ点的表面态在覆盖度为两单层时仍然可以分辨,说明薄膜生长模式不是二维层状生长.在一单层和二单层时,动量沿Cu体布里渊区ΓΛL方向变化,Co的最明显的峰包有能量色散.在覆盖度从一单层到两单层的变化过程中,固定光子能量测谱发现Co的能带的能量调整.实验测得的Co膜的电子结构与已有理论计算的结果对比,初步确定Co原子在生长初期阶段为两层岛生长,而且在一单层时已经具有铁磁性. 相似文献
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在超高真空系统中制备了Yb2.75C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb2.75C60价带(C60分子轨道LUMO,HOMO和HOMO-1导出的能带)和芯态(Yb 4f7/2,4f5/2)能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子,用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律,通过定量拟合,得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明,光子能量高于约30.0 eV时,芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此,研究Yb2.75C60价态时,应使用能量低于30.0 eV的光子.对实验和拟合结果分析,发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小,反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用. 相似文献
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