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介绍用剥谱的实验方法和Origin5.0中的双高斯峰拟合对X射线标识谱实验中的镓一铜叠加峰进行分解. 相似文献
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稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.
关键词:
空穴浓度
应变弛豫
倒易空间图
准共格 相似文献
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针对重复频率电磁脉冲(EMP)干扰,以氢闸流管的栅极触发电路为研究对象,进行了氢闸流管悬置与共地两种不同的条件下氢闸流管第一栅极与第二栅极的电磁干扰研究。结果表明,两种条件下两个栅极均存在较强烈的电磁干扰,干扰主要来源于空间电磁辐射与共地耦合两个方面;针对重复频率EMP环境下氢闸流管触发的可靠性,分别进行了不同重复频率EMP数量与不同重复频率EMP时间间隔下氢闸流管的输出实验。结果表明,两种情况均对氢闸流管的触发产生影响,重复频率EMP数量增多与间隔减小均使氢闸流管误触发的可能性增大,对比理论分析与实验结果,认为该现象是由于重复频率EMP累积效应与重复频率EMP高频分量增强从而导致交互作用耦合增强所引起。 相似文献
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提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度, 但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响, 本文对低温分子束外延技术(LT-MBE)生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析, 发现样品中存在大量的As反位缺陷(AsGa)、Mn的间隙位缺陷(MnI)、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷, 这些缺陷都会影响外延层的光谱特性, 同时也会影响器件的电学性能。 相似文献
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混合型装配线平衡问题求解方法研究 总被引:1,自引:1,他引:0
对混合型装配线平衡问题进行了描述和数学建模,提出一种启发式求解算法,求解目标是最小化工作站数目.为进一步优化求解结果,对启发式算法求解的结果进行仿真研究,分析各工作站的工作率、等待率和阻塞率,并以此为依据调整部分作业任务的分配,允许不同品种产品的相同作业任务安排在不同的工作站中,以对求解结果进行修正,进一步均衡各工作站的作业量.该求解方法既简化了求解过程,又兼顾到了系统的瞬时特性和作业任务的不可拆分性对求解结果的影响,实例分析验证了方法的有效性. 相似文献
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用于渗透气化法分离水—乙醇混合物的含离子膜 总被引:2,自引:0,他引:2
合成了乙烯醇和顺丁烯二酸的交替共聚物,并制成膜,使其与BaCl_2,CaCl_2,SrCl_2及CuSO_4的水溶液反应。将反应产物—含离子聚合物膜用于渗透气化法分离乙醇-水混合物。结果表明,离子膜在渗透速率及分离系数两方面均好于纯聚合物膜。在以上四种离子膜中,含Ba~(2 )离子膜的性能最好,这表明Ba~(2 )离子不仅使膜更加亲水,增加了对水的溶解度,而且由于Ba~(2 )离子引起聚合物分子链间的交联,而使膜变得更加致密,从而提高了膜的分离系数。 相似文献
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针对重复频率电磁脉冲(EMP)干扰,以氢闸流管的栅极触发电路为研究对象,进行了氢闸流管悬置与共地两种不同的条件下氢闸流管第一栅极与第二栅极的电磁干扰研究。结果表明,两种条件下两个栅极均存在较强烈的电磁干扰,干扰主要来源于空间电磁辐射与共地耦合两个方面;针对重复频率EMP环境下氢闸流管触发的可靠性,分别进行了不同重复频率EMP数量与不同重复频率EMP时间间隔下氢闸流管的输出实验。结果表明,两种情况均对氢闸流管的触发产生影响,重复频率EMP数量增多与间隔减小均使氢闸流管误触发的可能性增大,对比理论分析与实验结果,认为该现象是由于重复频率EMP累积效应与重复频率EMP高频分量增强从而导致交互作用耦合增强所引起。 相似文献
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介绍用剥谱的实验方法和Origin 5.0中的双高斯峰拟合对X射线标识谱实验中的镓-铜叠架峰进行分解。 相似文献