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1.
在物理教学中如何使学生在获取知识的同时,培养学生各种能力,是教师一直重视和探讨的问题.尤其是在新的形势下,为了全面贯彻《国务院关于大力发展职业教育的决定》迎接21世纪技术革命的挑战.培养具有开拓精神的新一代.能力的培养途径是多方面、多 相似文献
2.
本文介绍了用离子交换法降低甘草浸膏灰份的实验研究。实验表明:用国产大孔阳离子交换树脂D001-CC及强碱性阴离子交换树脂D296配合使用,可将原甘草浸膏中12%的灰份降低至5~7%,同时用氨水、稀盐酸、稀氢氧化钠溶液分次再生树脂可减少甘草浸膏有效成份的损失。并且设计了工业上可能采取的工艺路线。 相似文献
3.
通用地面测控设备是一套能适用于同一类别、不同型号电子学系统的通用化测控设备。它首次实现了该类设备的通用化,可以替代8种原同类设备,且技术先进,使用方便,性能有显著提高。该设备以工业控制计算机为中心,配以经通用化设计的插卡和测控软件,实现了多种测控功能。设备结构框图如图1。 相似文献
4.
十六烷基三甲基溴化铵光度滴定法测定硫酸软骨素钠盐 总被引:2,自引:0,他引:2
建立一种测定硫酸软骨素的新方法。十六烷基三甲基溴化铵在KH2 PO4 Na2 HPO4 缓冲溶液中、乳化剂OP共存下与硫酸软骨素反应形成离子对缔合物 ,溶液转变成稳定的乳化液。用光度滴定法测定硫酸软骨素。用标准加入法做回收试验 ,回收率为 99.9%~ 10 0 .2 % ,相对标准偏差0 .32 %~ 0 .4 0 %。方法应用于外贸样品测定 ,结果满意 ,方法准确、简便、快速 相似文献
5.
6.
合成了3-(水杨酰肼)-丁基-2-酮肟H2L(1,C11H13N3O3)和2个镍的3-(水杨酰肼)-丁基-2-酮肟化合物[Ni(HL)(CH3COO-)(C5H5N)2](2)和[Ni(HL)2]·2C3H7NO(3)。化合物1晶体属单斜晶系,空间群为P21/n,晶体学参数为:a=0.451 87(2) nm,b=2.086 8(1) nm,c=1.224 48(9) nm,β=94.974(3)°,V=1.150 3(1) nm3,Z=4,Dc=1.358 g·cm-3,μ=0.101 mm-1,F(000)=496,R=0.0435,wR=0.142 5。化合物2晶体属单斜晶系,空间群为P21/n,晶体学参数为:a=1.362 39(8) nm,b=1.345 37(6) nm,c=1.438 54(7) nm,β=113.138(3)°,V=2.424 6(2) nm3,Z=4,Dc=1.398 g·cm-3,μ=0.843mm-1,F(000)=1 064,R=0.042 4,wR=0.116 6。化合物3晶体属单斜晶系,空间群为P21/c,晶体学参数为:a=1.104 22(7) nm,b=2.860 1(1) nm,c=1.114 13(7)nm,β=114.589(5)°,V=3.199 5(3) nm3,Z=4,Dc=1.398 g·cm-3,μ=0.667 mm-1,F(000)=1 416,R=0.057 6,wR=0.1535。在化合物1晶体中,酮肟分子之间通过分子间氢键形成二维网状结构。在化合物2中,每个镍(Ⅱ)离子由1个3-(水杨酰肼)-丁基-2-酮肟的2个氮原子和1个氧原子,2个吡啶分子中的2个氮原子和1个乙酸根中的1个氧原子形成畸变的NiN4O2八面体配位构型,存在分子内氢键O-H(肟)…O(乙酸根)和O-H(酚)…N(酰肼)。在化合物3晶体中,每个镍(Ⅱ)离子由2个3-(水杨酰肼)-丁基-2-酮肟的4个氮原子和2个氧原子配位,形成畸变的NiN4O2八面体配位构型。晶体中存在O-H…O和O-H…N两种分子内氢键和O-H…O分子间氢键。 相似文献
7.
8.
钾明矾(KAl(SO4)2·12H2O)有较高的潜热和良好的导热性(熔化热232.4kJ/kg,导热系数为0.55W/m·K),熔点为91℃,是中低温相变材料中较有开发价值的一种.但是它的过冷度高达19.8℃,并且由于相变过程伴随着结晶水的蒸发使无机盐的使用寿命大大降低.本文通过冷指法及添加成核剂的方法对硫酸铝钾的过冷现象进行了研究,结果表明成核剂NiSO4·6H2O、MgCl2·6H2O能较好的改善过冷现象,当MgCl2·6H2O的添加量为2;时可使过冷度降为零,且能保持钾明矾的相变温度而不使其降低.利用MgCl2·6H2O具有很强的吸湿性,可以补充相变过程中损失的水分,使相变材料的使用寿命大大提高. 相似文献
9.
运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用. 相似文献
10.