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用干涉仪的方法测量了Ce:BaTiO3晶体的低频电光系数和压电系数.排除压电效应对光通过晶体引起相位的变化,得到低频下经极化的Ce:BaTiO3单晶的电光系数r42=1945±220pm/V和r13=11.8±1pm/V.从而,为研究Ce:BaTiO3晶体的光折变效应和理论计算提供了精确的线性电光系数
关键词: 相似文献
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