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Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献
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具有递推关系的一类计算对象的解法 总被引:1,自引:1,他引:0
1.定理 设 Dn 是一个与自然数 n有关的计算对象 ,具有递推关系 Dn=a1Dn- 1+a2 Dn- 2 +…+ak Dn- k,其中 a1,a2 ,… ,ak 是 k个已知常数。如果矩阵A =a1a2 … ak- 1ak1 0… 0 00 1… 0 0……………0 0… 1 0可对角化 ,即存在可逆矩阵 P,P- 1AP=Λ,Λ=λ1λ2 λk;并且 PΛn- 1P- 1Dk廌2D2=b1廱k- 1bk,则Dn=bk。证明 ∵ Dn=a1Dn- 1+a2 Dn- 2 +… +ak Dn- k,∴ Dn+k- 1=a1Dn+k- 2 +a2 Dn+k- 3+… +ak Dn- 1,从而Hn =Dn+k- 1Dn+k- 2Dn+k- 3廌n=a1Dn+k- 2 +a2 Dn+k- 3+… +ak Dn- 1Dn+k- 2Dn+k- 3廌n=a1a2 … ak- 1ak1 0… 0 00 1… 相似文献
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本文着重研究OU-型Markov过程的两个问题:第一,关于单点击中概率的问题,并在此基础上进一步确定OU型Markov过程局部时的存在性条件,这个问题的研究是受Kesten,H的影响,但本文中所用方法与[1]有本质的区别。第二,关于Range方面的问题,本文阐述了几类过程以概率1具有包含区间的Range。 关于OU型Markov过程,Tokuzo,Shiga研究了其常返性的判断准则,Sato,K研究了其平稳分布,Hadjiev,D,I,研究了其初遇问题,本文涉及的单点击中概率,局部时及Range尚没人研究过。 相似文献
5.
一般认为:在一个孤立的带电导体表面上,其表面曲率最大处,电场强度也最大.事实上这两个最大值之间没有上述关系,并不总是一一相对应的.只对特殊形状的导体才成立.本文通过轴向对称带电球面的一级微扰来证明电场强度和曲率二者最大值的位置是不同的. 相似文献
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1选择题(1)集合A={x|x≠1,x∈R{∪{x|x≠-1,xE∈R},集会B={x|<-1或-1<x<1或x>1),则集合A、B间的关系是()(A)=B(B)AB(C)AB(D)以上都不对(2)函数y=sin(3x+15°)cos(3x-15°)的最小正周期是()(3)有以下四个命题:①若a,b为异面直线,b,c也为异面直线,则a,c是异面直线;②若一条直线与两个平面所成的角相等,则这两个平面平行;③若干面外的两点到此平面的距离相等,则过这两点的直线与平面平行;④三个平面两两相交,有三条交线,则这三条交线平行.以上命题正确的个数是()(A)0(B)l(C)2(D… 相似文献