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学科分类
数理化 | 130篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 4篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 5篇 |
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2012年 | 8篇 |
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2008年 | 5篇 |
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2006年 | 4篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 2篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 5篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 4篇 |
1984年 | 1篇 |
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1.
2.
通过喷雾干燥技术制备了一系列无机纳米粒子(凹凸棒土和/或二氧化硅)与有机磷酸盐类成核剂(NA11)复配的复合成核剂.研究了复合成核剂对聚丙烯力学性能与结晶行为的影响.采用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、偏光显微镜(POM)、广角X射线衍射仪(WAXD)等对复合成核剂在聚丙烯中的分散和对结晶行为的影响进行了表征和分析,并且对复合成核剂改性聚丙烯的机理进行了探讨.结果表明,这种复合成核剂对聚丙烯力学性能的改善明显,聚丙烯的刚性迅速增加,其中三元成核剂对聚丙烯刚性的提高更显著,该成核剂在0.2%用量下对聚丙烯力学性能的改善效果,相当于同等添加量下纯NA11的改性效果.微观形态研究表明三元复合成核剂体系中,三组分形成了相互隔离的分散状态,使有机成核剂和无机纳米粒子可以在聚丙烯基体中实现良好分散. 相似文献
3.
使用溶胶-凝胶法制备了Er3+单掺及Er3+/Yb3+共掺La2TiO5荧光粉体样品。经过1 100 ℃下3 h的煅烧,得到了较好的微晶。X射线粉末衍射测试表明样品中不含杂质相。扫描电镜观察表明样品颗粒范围为100~300 nm。紫外激发光谱中,在250~320 nm范围内出现Er离子和临近配位氧离子之间强烈的电荷转移跃迁峰,在350~500 nm出现Er离子f-f跃迁尖锐的吸收峰。在378 nm激发下,Er离子发射强烈的特征绿光(546 nm, 4S3/2-4I5/2),当Er离子物质的量分数达到1%,发射峰强度达到最大。在980 nm激发下的上转换光谱中,Yb离子的共掺杂有效的敏化上转换发光强度。详细讨论了样品的上下转换发光机理及相应能量传递过程。同时测试了样品的荧光衰减和量子产率。 相似文献
4.
5.
利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO:V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO:V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好。扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高。光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO:V薄膜在800℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低。 相似文献
6.
7.
8.
AlSb/InAs quantum well (QW) structures and InAs films on GaAs (001) substrates were grown by molecular beam epitaxy (MBE). We investigated the dependence of electron mobility and two-dimensional electron gas (2DEG) concentration on the thickness of an InAs channel. It is found that electron mobility as high as 19050 cm2·V-1·s-1 has been achieved for an InAs channel of 22.5 nm. The Hall devices with high sensitivity and good temperature stability were fabricated based on the AlSb/InAs QW structures. Their sensitivity is markedly superior to Hall devices of InAs films. 相似文献
9.
Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
10.
The adsorptive capacity and selectivity of a novel adsorbent with pyridyl group toward stevia glycosides were studied. The effect of polarity and physical structure of the sorbent on the selectivity was investigated in detail. Two separation methods were applied in the enrichment of rebaudioside A(RA). They were selective elution using methanol or ethanol solution as solvent, and dynamic chromatographic separation using pyridyl resin with high selectivity. Results show that the chromatographic separation method can effectively enrich RA from stevia glycoside with high content of stevioside. 相似文献