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In this paper we investigated the BER performance of DS-CDMA using various chip-waveforms, which include three time-limited chip-waveforms and two band-limited chip-waveforms. Closed-form formulae were derived for evaluating the achievable bit-error rate performance with the aid of the standard Gaussian approximation, when communicating over a Nakagami-m channel. The time-limited waveforms impose a low implementational complexity, since they maybe over sampled and read from a look-up table. However, they are outperformed by the frequency-domain raised-cosine waveform as well as the optimum waveform specifically designed by Cho and Lehnert for achieving the lowest possible bit error rate 相似文献
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1 Introduction
Along with the matureness of laser diode (LD) manufacturing technology, the performance of LD has been improved greatly since 1980s, so various kinds of laser devices based on LD have been developed rapidly, especially the all-solid state lasers. After early experiments and researches, the all-solid state lasers have been commercialized successfully. 相似文献
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分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
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