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1.
用数值方法对泊松方程求解时,往往要对迭代的中间结果作适当的压缩处理,以加快收敛速度和避免溢出。本文提出一种单一指数因子的非线性压缩法。一维数值模拟结果表明,平衡态时不必进行压缩处理。而在非平衡态时,最佳指数压缩因子的大小与杂质浓度有关。参考本文给出的数值计算结果,根据给定器件的杂质浓度分布,选定一最佳指数压缩因子,可以使泊松方程的数值求解过程具有最快的收敛速度。 相似文献
2.
随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的寄生电阻模型。该文分析了短沟道寄生电阻模型,研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因,并对模型进行了改进。最后分析了器件参数对寄生电阻的影响,提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施。 相似文献
3.
4.
随机数产生器在科学研究的许多领域具有重要意义。Linux内核利用系统环境噪声的随机特性,实现了一个高强度的随机数产生器。以Linux2.6.10内核源代码为基础,分析了其内核随机数产生器的设计。介绍了随机数产生器的基本原理和设计思想,并对其具体的实现细节,如输入输出接口作了详细的阐述,最后讨论了系统启动导致随机数质量下降的问题以及Linux内核随机数产生器的解决方法。 相似文献
5.
6.
7.
8.
根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。 相似文献
9.
本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects )和DIBL(drain-induced barrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证. 相似文献
10.