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1.
液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响   总被引:3,自引:2,他引:1  
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。  相似文献   
2.
研究了A位Nd^3 非电荷平衡取代量对[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3晶体结构及微波介电性能的影响.用XRD研究了Nd^3 的取代对体系晶胞参数及物相成分的影响.介电性能研究表明,体系介电常数随Nd^3 先增加后减小,并且当Nd^3 的含量超过一定值时,体系的品质因数得到改善.用键价理论分析了体系谐振频率温度系数随Nd^3 取代量的变化关系.当Nd^3 的含量为5mol%时体系微波介电性能达到最佳为;εr=87.9,Qf=5210GHz,Tf=7.8ppm/K.研究了[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3体系中晶体结构与介电性能之间的关系.  相似文献   
3.
4.
基于动态电流法设计了一种新型热释电系数测试系统,其新颖之处在于首创设计了三路自适应微电流放大电路模块,该模块解决了弱热释电材料需要小动态范围,高灵敏度微电流放大而强热释电材料需要大动态范围,低灵敏度微电流放大的矛盾.系统先利用计算机对三路自适应微电流放大电路进行控制,再利用其强大的信息处理能力来获取热释电系数与温度的关系曲线,并在计算机上以数据和图形形式显示出来.实验结果证明,该新型三路自适应热释电系数测试系统既能满足弱热释电性材料,也能满足强热释电性材料热释电系数的测试要求.  相似文献   
5.
铁电体特有的自发极化效应使其成为储能功率电容器的重要介电材料之一。铁电陶瓷的高温稳定性优于铁电聚合物,被大量用于电介质储能。整体而言,铅基铁电材料的性能优于无铅铁电材料,但大量铅元素的使用会严重危害环境和人体健康。因此,具有高性能的无铅铁电材料的研究和使用对人类健康和环境保护具有重要意义。本文从储能用无铅铁电陶瓷块体和薄膜材料两方面出发,综述了近年来国内外学者在无铅储能铁电陶瓷方面的研究进展,并对无铅铁电陶瓷在电介质储能领域的发展进行了展望。  相似文献   
6.
介绍了富锆PZT陶瓷F_(RL)和F_(RH)的相变,并测试具有不同锆钛比PZT陶瓷的热释电性能,探索相变温度与锆钛比的关系,找出室温下热释电性能最好的PZT陶瓷锆钛比。通过测试,结果表明当锆钛比为97/3时,PZT陶瓷室温下的热释电性能最好,为30×10~(-4)C/m~2℃,符合热释电探测器的性能要求。  相似文献   
7.
姜胜林  周东祥 《功能材料》1998,29(3):293-295
对(1-x)PbTiO2+xPb(Cd1/3Nb2/3)O3系压电陶瓷进行了研究实验结果指出 ,当x=0.14时掺入适量的改性加物NiO2,MnO2,WO3,经过适当的工艺过程,可得到压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料,其中,材料的居里温度TC〉400℃,机械品质因数Qm〉2000,机电耦合系数Kt可达0.45,介电常数ε小于210,是一种很有前途和高温同频压电陶瓷材料。  相似文献   
8.
采用丝网印刷工艺并通过有效掺杂B2O3-Li2O制备出了一致性和可重复性良好的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)厚膜.系统研究了B2O3-Li2O掺杂对BST厚膜的低温烧结特性、微观结构、相构成及介电性能的影响.结果表明:随着B2O3-Li2CO3含量的增加,BST厚膜的烧结温度逐渐降低,晶粒尺寸和介电常数显著变小...  相似文献   
9.
采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅(PMN-PMS-PZT)陶瓷,并进行对比研究.实验结果表明,冷等静压成型的陶瓷综合性能较好,其具有均匀紧凑的晶粒结构,可得到较高的成瓷密度;使材料的介电常数εr和介电损耗tan δ降低,在保持较高热释电系数P的同时降低低温铁电三方相-高温铁电三方相(FRL-FRH)的相变温度,并使热释电系数峰值得到稳定.其最佳性能为室温时,εr=216,tan δ=0.20%,p=12.0×10-4 C/m2·℃(持续温区为23~55℃),探测率优值FD=24.6×10-5Pa-1/2.  相似文献   
10.
微波烧结制备钛酸锶钡红外探测器材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
以乙酸盐为原料,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为稳定剂,采用sol-gel法制备了Mn掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)凝胶,分析了凝胶的热演化过程,分别用传统烧结和微波烧结技术制备BST纳米粉体。与传统烧结相比,900℃微波烧结0.5h即可合成纯钙钛矿相BST粉体,相同烧结温度下所需时间缩短3/4,有效控制晶粒长大,粉体粒径约60nm。采用该粉体制备的BST厚膜材料,εm>1000,tanδ<0.02,弥散指数降低,是制备大阵列非制冷红外焦平面阵列(UFPA)的优选材料。  相似文献   
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