全文获取类型
收费全文 | 131637篇 |
免费 | 11839篇 |
国内免费 | 6717篇 |
学科分类
工业技术 | 150193篇 |
出版年
2024年 | 608篇 |
2023年 | 2041篇 |
2022年 | 3956篇 |
2021年 | 5368篇 |
2020年 | 4086篇 |
2019年 | 3372篇 |
2018年 | 3754篇 |
2017年 | 4228篇 |
2016年 | 3834篇 |
2015年 | 5572篇 |
2014年 | 6727篇 |
2013年 | 8098篇 |
2012年 | 8894篇 |
2011年 | 9676篇 |
2010年 | 8667篇 |
2009年 | 8522篇 |
2008年 | 8336篇 |
2007年 | 7959篇 |
2006年 | 7571篇 |
2005年 | 6547篇 |
2004年 | 4294篇 |
2003年 | 3722篇 |
2002年 | 3429篇 |
2001年 | 3047篇 |
2000年 | 2847篇 |
1999年 | 2993篇 |
1998年 | 2181篇 |
1997年 | 1892篇 |
1996年 | 1662篇 |
1995年 | 1429篇 |
1994年 | 1177篇 |
1993年 | 866篇 |
1992年 | 668篇 |
1991年 | 508篇 |
1990年 | 422篇 |
1989年 | 322篇 |
1988年 | 267篇 |
1987年 | 168篇 |
1986年 | 136篇 |
1985年 | 69篇 |
1984年 | 62篇 |
1983年 | 44篇 |
1982年 | 46篇 |
1981年 | 29篇 |
1980年 | 31篇 |
1979年 | 12篇 |
1978年 | 9篇 |
1976年 | 7篇 |
1959年 | 5篇 |
1951年 | 12篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
垦71井区三维VSP资料波场分离方法应用研究 总被引:8,自引:5,他引:3
三维VSP资料是多偏移距VSP资料,资料中多种类型的波叠合在一起形成复杂波场。从复杂波场中分离出单一的保幅反射波波场是三维VSP波场分离的重要工作。常规二维VSP波场处理方法单一,难以适用于复杂的三维波场处理。针对三维VSP资料的波场特点,以分离上行反射P波为例,将单一波场分离方法加以适当组合,对垦71井区三维VSP实际资料进行了应用研究。结果表明,波场分离处理中叠加消去法和中值滤波相结合以及F—K滤波和中值滤波相结合的方法克服了单一方法的缺陷,波场处理后获得了波组特征明显、波场清晰单一的上行反射P波保幅波场,取得了较好的波场分离效果。 相似文献
3.
4.
L. Gao P. Hrter Ch. Linsmeier J. Gstttner R. Emling D. Schmitt-Landsiedel 《Materials Science in Semiconductor Processing》2004,7(4-6):331
Deposition of Ag films by direct liquid injection-metal organic chemical vapor deposition (DLI-MOCVD) was chosen because this preparation method allows precise control of precursor flow and prevents early decomposition of the precursor as compared to the bubbler-delivery. Silver(I)-2,2-dimethyl-6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-3,5-octanedionato-triethylphosphine [Ag(fod)(PEt3)] as the precursor for Ag CVD was studied, which is liquid at 30 °C. Ag films were grown on different substrates of SiO2/Si and TiN/Si. Argon and nitrogen/hydrogen carrier gas was used in a cold wall reactor at a pressure of 50–500 Pa with deposition temperature ranging between 220 °C and 350 °C. Ag films deposited on a TiN/Si diffusion barrier layer have favorable properties over films deposited on SiO2/Si substrate. At lower temperature (220 °C), film growth is essentially reaction-limited on SiO2 substrate. Significant dependence of the surface morphology on the deposition conditions exists in our experiments. According to XPS analysis pure Ag films are deposited by DLI-MOCVD at 250 °C by using argon as carrier gas. 相似文献
5.
针对不同地质目标的叠前时间偏移成像解释评价 总被引:3,自引:0,他引:3
随着计算机硬件和地震勘探成像技术的发展,叠前时间偏移正逐步替代常规的NMO加DMO加叠后时间偏移成为地震数据成像处理方法的主流。但对于不同的地质目标,叠前时间偏移的成像效果是否优于常规NMO加DMO加叠后时间偏移的成像效果呢?为此,从地震数据成像处理方法、处理流程和处理参数等方面进行了讨论,并基于某地区三维数据常规处理结果和叠前时间偏移处理结果,针对不同地质目标进行了剖析与评价。认为:叠前时间偏移成像的垂向分辨率较常规处理明显降低,但对于空间波阻抗变化明显的河流和断层,叠前时间偏移成像的空间分辨率要高于常规处理;对于小于1/4波长的叠置薄储层,叠前时间偏移成像的垂向和空间分辨率低于常规处理结果。 相似文献
6.
基于进化算法的常减压装置模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了基于优选优生进化算法(Select—best and prepotency evolution algorithm,SPEA)的常减压装置模拟方法。以各塔的温度分布为目标,基于生产过程和分析数据,采用SPEA确定各塔板Murphree效率,从而精确描述各塔板平衡偏离程度。在实际应用中,获得具有良好精度的常减压装置模型。系统分析了SPEA算法的关键参数——优选领域大小与计算复杂性及寻优性能之间的关系,结果显示其取值为群体规模的10%最为合适。 相似文献
7.
8.
10.