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提出一种以硅酸钠(SS)为抑制剂从工业硅精炼渣(硅酸盐)中浮选回收单质硅的新方法。通过溶液化学、接触角和zeta电位测试,研究SS与硅酸盐的相互作用机理。研究发现,添加SS后,回收的硅含量从(72.12±5.08)%(质量分数)提高至(81.14±1.77)%(质量分数)。浮选过程中,SS水解成亲水性较强的H2SiO3和HSiO3-,与硅酸盐发生物理/化学吸附,导致硅酸盐表面接触角从6.62°降至0°,从而降低了硅酸盐的可浮性。 相似文献
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针对高灰分焦粉大量废弃堆存的状况, 采用不同浸出剂对高灰分焦粉进行脱灰实验, 确定了碱-酸联合浸出的脱灰工艺, 研究了碱-酸联合浸出脱灰过程温度与脱灰率的关系.使用光谱分析、XRF和化学分析方法, 分析了原料焦粉、碱浸焦粉、碱浸后酸浸焦粉灰分中主要杂质元素铁、铝、钙、硅的存在形态和含量, 探讨了提纯过程的反应机理.焦粉经碱-酸联合浸出后, 灰分由28.6%降至3.85%, 脱灰率达到86.5%. 相似文献
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以云南某有色冶炼厂湿法含银浸出渣为考察对象,采用硫脲法回收其中的银。实验结果为反应时间5 h、硫脲用量为40 g/L、反应液固比8 mL/g、Fe_2(SO_4)_3用量为0 g/L、浸出温度60℃。在此条件下,所得银浸出率大于88%。以反应时间、硫脲用量、反应液固比为考察因素,通过响应曲面法对该浸银工艺进行优化,得到银浸出率的预测回归方程,其优化得到的工艺条件为反应时间6 h、硫脲用量为50 g/L、反应液固比10 mL/g,在此条件下所得银浸出率91.40%,与理论银浸出率92.15%的结果相差较小,说明预测回归方程和优化的工艺条件可以实际应用。 相似文献
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Ti-85wt.%Si合金熔体通过定向凝固后成功地实现了Si相的分离和TiSi_2晶体的定向生长.研究发现,定向凝固下拉速度为15μm/s时,铸锭的分离界面呈包裹式分布,而3μm/s时铸锭的分离界面横向分布在铸锭的中下部;当下拉速度为3μm/s时,TiSi_2晶粒出现层状结构并且沿某一确定方向生长,并且随着定向凝固的进行,富集层厚度逐渐增加,导致铸锭底部散热能力比侧壁散热能力弱,导致沿铸锭侧壁温度梯度大于沿铸锭底部的梯度,此时TiSi_2将在侧壁形核并沿纵向温度生长,由于侧壁晶粒生长速度大于底部晶粒生长速度,使得分离界面出现弧形结构.当下拉速为3μm/s时获得铸锭的富Si层中Si的质量分数最大,为79.9%. 相似文献
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对于多晶硅垂直布里奇曼真空定向凝固过程,熔体自由表面张力引起的Marangoni对流对晶体生长质量有着明显的影响。本文通过建立多晶硅真空定向凝固过程的热场-流场-应力场多场耦合数学物理模型,采用数值模拟和实验研究了Marangoni对流作用下熔体传热特性、熔体流动行为、铸锭热应力等因素对硅晶体生长质量的影响。结果表明:Marangoni对流会增强硅熔体流场的流动强度,使得硅熔体平均流速增大3倍左右,进而影响硅熔体内部的对流换热能力,使硅熔体和硅固体温度分布更加均匀,硅熔体温度梯度降低4.8%-9.9%,硅固体温度梯度降低2.1%-2.6%,使多晶硅铸锭过程产生更小的热应力和更少缺陷。 相似文献