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1~26.5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片 总被引:1,自引:0,他引:1
采用GaAs PIN二极管,完成1~26.5 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0.5 dB,驻波优于1.1,隔离度大于27 dB,在10~26.5 GHz,隔离度大于37 dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,76 mm GaAs圆片工艺加工制作。 相似文献
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台州市是浙江沿海中部重要的经济城市,路桥区是台州市的主体城区之一,滨海工业区大部分面积位于路桥区。目前,滨海工业区内有污水处理厂1座,椒江岩头污水厂,处理规模15万m3/d,主要收集处理区内西侧过境城市污水。其余区域排水设施尚不完善,排水体制基本是雨污合流,生活污水及工业废水未经任何处理直接排入河道,导致水体污染和水质恶化,直接影响到了当地景观环境和居民生活。 相似文献
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直流调速系统的模糊/PID控制器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用模糊/PID控制策略对直流调速系统的转速环进行了设计,根据转速误差的阀值由模糊控制切换到PID控制,给出了模糊控制规则和PID控制器各参数确定的方法,并利用Matlab进行了仿真验证,结果表明模糊/PID控制器具有较好的控制性能。 相似文献
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通过对在围岩破碎,顶板、侧帮压力大,巷道变形严重的井巷维修中,推广使用柔性改良砌碹支护的实践,进一步说明和见证柔性改良砌碹支护的使用范围与前景. 相似文献
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井巷岩层优质高效掘进法 总被引:1,自引:0,他引:1
在池坪煤矿不同硬度类型基岩掘进试验基础上进行分析总结,提出采用中深孔直眼掏槽高效优质的掘进方法。 相似文献
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Pro/E行为建模技术在曲轴结构优化设计中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了Pro/E行为建模的特点和内容,探讨了行为建模的功能和基本步骤,通过实例,在对曲轴模型参数进行测量分析、灵敏度分析及可行性/优化分析的基础上,对曲轴模型进行了多目标设计研究,实现了对曲轴模型的优化设计。通过修改模型的结构形状,在满足曲轴重心和轴线重合的条件下,实现了曲轴质量、表面积、轮廓周长最小的设计目标。从设计结果来看,行为建模方法对产品设计优化效果比较明显,为设计师实现设计过程的工程目标驱动提供了一种借鉴和方法。 相似文献
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采用GaAs pin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20~40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作. 相似文献
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采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计。测试结果表明,在0.01~5.0GHz带内,插入损耗≤1.2dB@3GHz、≤1.6dB@5GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60dB@3GHz、≥52dB@5GHz,1dB压缩功率点达到了30dBm,IP3超过了+52dBm。 相似文献