Ta_2O_5敏感膜H~＋－ISFET研究

在不用金作掩蔽膜的情况下,在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀,制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明,该器件在灵敏度、线性范围、线性度、响应时间、滞后、时漂和选择性等方面普遍优于Ｓｉ３Ｎ４膜同类器件。可直接用于溶液的ｐＨ值测量。     

光电积分测色中筛子式数值修正

利用计算机仿真技术，虚拟了数十万个不同的光谱相对功率分布，对光电积分测色中不同测量区间的系统误差进行了详细的计算机仿真实验。实验结果表明：对不同的测量区间，光电积分式测色有不同的系统误差；可利用筛子式数值修正技术将光电器件的测量准确度提高约２个数量级。     

开关磁阻电机的计算机智能化测试系统

开关磁阻电动机是从20世纪70年代开始迅猛发展的一种较为新型的电机。介绍了电机智能化测试系统在微机、数据采集卡、组态软件构成的平台上，实现对开关磁阻电机的性能测试，中给出了系统的硬件设计方案和软件模块构成。硬件主要涉及采集卡、传感器模块、信号调理单元等，而软件是以Synall2000组态软件为软件开发平台，具有良好的人机界面。系统的人机交互与数据处理由工控PC机来完成。该测试系统为开关磁阻电机的后续研究打下了测量基础。     

北京交通大学:培养新能源电力行业国际化人才

正北京交通大学新能源国际学院,是在国家外国专家局和教育部领导下,依托北京交通大学设立的国际化示范学院。学院密切结合电力和新能源领域技术发展趋势及产业发展对人才的需求,充分发挥北京交通大学在学生基础知识教育、应用技术研究和产品开发等方面的特色,建设国际学院"特区",通过思路转变、制度设计和政策倾斜,努力实现总体目标的要求;参考国际标准和办学经验,结合校情和国情,积极探索一条"拥有国际化视野、创新能     

膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响

重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30～250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020 cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右.     

毛细管电泳芯片分离DNA片段的实验研究

在研制出集成毛细管电泳芯片的基础上,采用自组建的毛细管电泳芯片-激光诱导荧光-光电倍增管(PMT)及4400数据采集处理系统,对IGF-1(500bp)MAF-box(1021bp)两种DNA样品片段进行分离测试实验,测试结果得出采用本测试体系所需要的最佳条件,为毛细管电泳芯片的实用化奠定了基础．     

2013“中国芯”引领中国集成电路产业发展新高潮

正由工业和信息化部电子信息司指导,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)、南京市经济和信息化委员会、南京高新技术产业开发区管理委员会共同主办的2013中国集成电路产业促进大会已于近日在南京圆满落幕。本次大会围绕"推动整机与芯片联动,打造集成电路大产业链"这一主题进行了深入探讨。会议期间有幸对ARM大中华区总裁吴雄昂先生、武新     

考虑磁饱和的共悬浮绕组式无轴承开关磁阻电机径向力模型

无轴承开关磁阻电机一般工作在磁路饱和状态,其径向力解析模型的建立是实现稳定悬浮控制的基础.针对无轴承开关磁阻电机径向力的严重非线性问题,提出了一种用一次线性关系描述材料磁化特性的拟合方法,利用该方法针对一台共悬浮绕组式无轴承开关磁阻电机求取了气隙磁场强度,并利用麦克斯韦应力法推导了考虑磁饱和的全周期径向力解析模型.搭建...     

华峰测控:为客户提供高速、高吞吐量、高性价比的测试设备——访北京华峰测控技术有限公司总经理蔡琳女士

近年来,随着半导体产业的迅猛发展,有志成为国内测试设备供应商领军企业的北京华峰测控技术有限公司,正在积极布局未来的半导体测试设备市场,成为一家更加专业的半导体测试设备供应商。笔者有幸专访了该公司北京总部的总经理蔡琳     

网络安全标准IPSec分析及应用

IP安全是保证Internet网络安全的重要部分,IPSec为网络提供了安全标准。本文从IPSec安全标准体系结构入手.详细分析了对IP数据包进行IPSec处理所制定的各项标准,包括安全协议、认证和加密算法、安全联盟及密钥交换机制,同时对IPSec两种操作模式进行了比较,给出了基于IPSec构建虚拟专用网(VPN)的一种典型应用。