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对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。 相似文献
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对MOCVD生长的GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰;位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.48leV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。 相似文献
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利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用MOCVD方法生长的(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)、(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Mg)和(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Si)3个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论.另外还在室温下对(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得到膜厚与时间的线性关系曲线 相似文献
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随着社会经济的发展, 人们对于能源和生态环境越来越关注, 解决能源短缺和环境污染问题是实现可持续发展、提高人民生活质量和保障国家安全的迫切需要. 光催化材料在解决能源和环境问题方面有重要的应用前景. 光催化材料能有效利用太阳能, 光解水制氢, 氢能源是目前最理想的能源, 其最终产物是水, 不产生污染; 与传统治理环境的方法相比, 光催化材料能将有机污染物分解成二氧化碳和水, 具有成本低, 高效, 不产生二次污染等优点. 虽然光催化研究已进行了若干年, 但仍存在着光转换效率低、稳定性差和光谱相应范围窄等问题, 因此加强光催化材料的基础研究意义十分重大. 相似文献
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报道了MOCVD生长的高铝值AlxGaAs(x≥0.7)中的非故意碳掺杂.实验研究了Ⅴ/Ⅲ比、生长温度、生长压力、生长速率对载流子浓度的影响,实验发现:碳掺杂主要取决于Ⅴ/Ⅲ比、生长压力、生长速率.在650℃到760℃之间,生长温度对碳掺杂没有太大影响. 相似文献
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用椭偏光谱法对用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的GaxIn1-xP掺Si及掺Zn样品在室温下,可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱.将用于分析调制反射谱的三点比例法推广,并用来分析介电函数的三级微商谱.精确地得到样品的带隙Eg,Eg+△0以及Eg以上成对结构跃迁的能量位置及其间隔.计算了Eg以及费米能级的相对位置.将实验值与计算值比较,分析其差异的原因,发现样品存在有序结构 相似文献
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(AlxGa1—x)yIn1—yP表面氧化特性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用MOCVD方法生长的(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)、(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Mg)和(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Si)3个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论。另外还在室温下对(AlxHa1-x)yIn1-yP(本征)表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得对膜厚与时间的线性关系曲线 相似文献
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用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质(Ⅱ) 总被引:3,自引:0,他引:3
用椭偏光谱法对用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的GaxIn1-xP掺Si及掺Zn样品在室温下,可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱。将用于分析调制反射谱的三点比例法推广,并用来分析介电函数的三级微商谱。精确地得到样品的带隙Eg,Eg+△o以及Eg以上成对结构跃迁的能量位置及其隔离。计算了Eg以及费米能级的相对位置。将实验值与计算值比较,分析其差异的原因,发现样品存在有序结构。 相似文献
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报道了MOCVD生长的高铝值AlxGaAs(x≥0.7)中的非故障掺杂。实验研究了Ⅴ/Ⅲ比,生长压力,生长速率,在650℃到760℃之间,生长温度对碳掺杂没有太大影响。 相似文献
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